[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体器件，具有在金属载体元件（3）上的光电子半导体层序列（2），所述金属载体元件（3）具有作为第一组分的银和作为第二组分的与银相比具有更小的热膨胀系数的材料。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中银在所述第二组分中基本上是不可溶的。

3.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中所述第二组分从下列选择：钼、钨、铬、钒、铌和钽。

4.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中所述金属载体元件（3）的热膨胀系数匹配于蓝宝石、锗或GaAs的热膨胀系数。

5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中所述金属载体元件（3）是膜，尤其是烧结膜。

6.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中所述金属载体元件（3）具有大于或等于50μm并且小于或等于250μm的厚度。

7.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中所述光电子半导体层序列（2）基于一种或多种化合物半导体材料，所述化合物半导体材料从砷化物化合物半导体材料、磷化物化合物半导体材料和氮化物化合物半导体材料中选择。

8.一种用于制造光电子半导体器件的方法，具有以下步骤：

-在生长衬底（1）上生长光电子半导体层序列（2），

-将金属载体元件（3）设置在所述半导体层序列（2）的背离所述生长衬底（1）的一侧上，其中所述金属载体元件（3）具有银并且所述金属载体元件（3）的热膨胀系数匹配于所述生长衬底（1）的热膨胀系数，

-将所述生长衬底（1）至少部分地剥离。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述金属载体元件（3）具有作为第一组分的银和作为第二组分的与银相比具有更小的热膨胀系数的材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二组分从下列选择：钼、钨、铬、钒、铌和钽。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述金属载体元件（3）通过烧结所述第一组分和第二组分来制造。

12.根据权利要求9或10所述的方法，其中将所述第二组分烧结成多孔的烧结本体并且将所述第一组分以液态的形式引入到所述烧结本体中。

13.根据权利要求8至12之一所述的方法，其中所述生长衬底（1）由蓝宝石、锗或GaAs制成。

14.根据权利要求9至12之一所述的方法，其中所述生长衬底是蓝宝石并且其中所述第二组分是钼或钨并且所述第一组分在金属载体元件中的份额大于或等于3重量%并且小于或等于33重量%。

15.根据权利要求8至14之一所述的方法，其中在将所述生长衬底（1）至少部分地剥离之后，将所述金属载体元件（3）以湿法化学的方式刻蚀以用于将所述半导体层序列（2）分离成多个光电子半导体器件（10）。