[发明专利]用于高样本通过量的磁流量细胞计数器

权利要求书

1.一种用于磁流量细胞计数器的设备，带有：

-基片(12)上的磁阻传感器(20)，和

-聚积路径(10)，其中

所述聚积路径(10)具有第一部分和第二部分，其中所述第二部分布置在所述基片(12)上且所述第一部分布置在所述基片(12)旁的载体(13)上，使得所述聚积路径(10)延伸超出所述基片(12)的边缘。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述聚积路径(10)具有磁导引条(15)。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述磁导引条(15)是铁磁性的。

4.根据权利要求2或3所述的设备，其中通流室(50)尤其是微流体通道沿所述聚积路径(10)形成，使得流动通过所述微流体通道(50)的、被磁性标记的细胞样本(90)在所述磁导引条(15)上定向。

5.根据前述权利要求中一项所述的带有磁体的设备，其中所述磁体布置为使得流动通过所述微流体通道(50)的、被磁性标记的细胞样本(90)由于所述磁体的磁场而聚积在通道底部上。

6.根据前述权利要求中一项所述的设备，其中所述微流体通道(50)的第一部分和第二部分以及所述磁阻传感器(20)布置为，使得流动通过所述微流体通道(50)的、被磁性标记的细胞样本(90)首先在所述聚积路径(10)的第一部分上导引通过所述微流体通道(50)的第一部分，然后在所述聚积路径(10)的第二部分上导引通过所述微流体通道(50)的第二部分，且在所述传感器(20)上导引通过，其中所述微流体通道(50)和聚积路径(10)的第二部分构造为使得通过它们能在流动的被磁性标记的细胞样本的聚积和定向方面修正分别与微流体通道(50)和聚积路径(10)的第一部分的错移。

7.根据前述权利要求中一项所述的设备，其中所述聚积路径(10)的长度至少为15000μm。

8.根据前述权利要求中一项所述的设备，其中所述基片(12)在其最大延伸上至多为18000μm。

9.根据前述权利要求中一项所述的设备，其中所述磁阻传感器(20)具有GMR传感器、TMR传感器或AMR传感器。

10.一种用于制造根据权利要求1至9中一项所述的设备的方法，所述方法带有如下步骤：

-在半导体基片(12)上制造磁阻传感器(20)，

-将聚积路径(10)的第二部分施加在所述半导体基片(12)上，

-将所述半导体基片(12)封装到载体(13)上且将所述磁阻传感器(20)的电触点(1-7、19、28)引出到所述载体(13)上，

-形成聚积路径(10)的第一部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中封装半导体基片(12)的步骤进行为使得由所述封装材料(16)形成微流体通道(50)。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其中在一个步骤中通过注塑形成微流体通道(50)。

13.根据权利要求10至12中一项所述的方法，其中所述聚积路径(10)的第一部分的磁导向条(15)直接地、尤其通过热蒸发或溅射沉积在所述通道底部上。

14.根据权利要求10至13中一项所述的方法，其中所述聚积路径的第二部分的磁导向条(15)直接地、尤其通过热蒸发或溅射沉积在所述半导体基片(12)上。

15.一种用于磁性细胞检测的方法，其中将被磁性标记的细胞样本(90)注射到根据权利要求1至9中一项所述的设备内。