[发明专利]形成电容器结构的方法以及用于其的硅蚀刻液

权利要求书

1.一种形成电容器结构的方法，包括：

施用硅蚀刻液于多晶硅膜或非晶硅膜，所述硅蚀刻液含碱化合物与羟胺化合物的组合，且所述硅蚀刻液的pH值被调节为11或大于11；

移除所述多晶硅膜或所述非晶硅膜的部份或整体；以及

形成构成电容器的凹凸形状。

2.根据权利要求1所述的形成电容器结构的方法，其中具所述凹凸形状的区域具有圆柱形孔，所述圆柱形孔是使用所述硅蚀刻液移除所述硅膜而形成。

3.根据权利要求1或2所述的形成电容器结构的方法，在施用所述硅蚀刻液前，还包括移除形成在所述硅膜上的氧化物膜的步骤。

4.根据权利要求2或3所述的形成电容器结构的方法，其中构成所述电容器结构的具所述凹凸形状的所述区域包括TiN，且所述圆柱形孔具有15或大于15的深宽比。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的形成电容器结构的方法，其中所述碱化合物的浓度为3质量％至25质量％。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的形成电容器结构的方法，其中所述羟胺化合物的浓度为0.1质量％至15质量％。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的形成电容器结构的方法，其中所述硅蚀刻液还包含醇化合物、亚砜化合物或醚化合物。

8.一种硅蚀刻液，用于形成电容器结构，所述电容器结构是通过移除多晶硅膜或非晶硅膜的部份或整体以形塑构成电容器的凹凸形状来形成，所述硅蚀刻液包括碱化合物与羟胺化合物的组合，且所述硅蚀刻液的pH值被调节为11或大于11。

9.根据权利要求8所述的硅蚀刻液，其中施用的对象是多晶硅膜。

10.根据权利要求8所述的硅蚀刻液，其中施用的对象是非晶硅膜。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的硅蚀刻液，其中具有构成所述电容器结构的所述凹凸形状的区域包括TiN，且具有圆柱形孔，所述圆柱形孔是使用所述硅蚀刻液移除所述硅膜而形成。

12.根据权利要求11所述的硅蚀刻液，其中所述圆柱形孔具有15或大于15的深宽比。

13.根据权利要求8-12中任一项所述的硅蚀刻液，其中所述碱化合物的浓度为3质量％至25质量％。

14.根据权利要求8-13中任一项所述的硅蚀刻液，其中所述羟胺化合物的浓度为0.1质量％至15质量％。

15.根据权利要求8-14中任一项所述的硅蚀刻液，其中所述碱化合物是由四级铵氢氧化物、氨与氢氧化钾中选出的一或多个化合物。

16.根据权利要求8-15中任一项所述的硅蚀刻液，其中所述碱化合物是四级铵氢氧化物。

17.根据权利要求8-16中任一项所述的硅蚀刻液，其中所述碱化合物是四甲铵氢氧化物。

18.根据权利要求8-17中任一项所述的硅蚀刻液，其中在移除形成在所述硅膜的表面上的氧化物膜后，立即使用所述硅蚀刻液。

19.根据权利要求8-18中任一项所述的硅蚀刻液，其中所述硅蚀刻液还包含醇化合物、亚砜化合物或醚化合物。