[发明专利]硅晶片的制造方法

权利要求书

1.一种硅晶片的制造方法，其是在根据化学气相生长法于原料硅晶片的一个面上生长出氧化膜后，研磨未生长出该氧化膜的一侧的前述原料硅晶片的表面，而制造出具有镜面研磨面与氧化膜面的硅晶片，其特征在于，其具有：

对前述原料硅晶片进行双面研磨的工序，该进行双面研磨的工序是在生长出前述氧化膜后，以下述的研磨布进行研磨：

对前述氧化膜表面侧，使用一种在涂布胺基甲酸乙酯树脂后经过湿式凝固与发泡而成的仿麂皮系研磨布、或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为50°以上且未满90°；而对研磨前述未生长出前述氧化膜的表面的一侧，使用胺基甲酸乙酯树脂单发泡体研磨布、或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布，且这些研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为90°以上。

2.如权利要求1所述的硅晶片的制造方法，其中，在前述进行双面研磨的工序之后，使用单面研磨装置来研磨前述镜面研磨面。

3.如权利要求1或2所述的硅晶片的制造方法，其中，作为前述原料硅晶片，使用电阻率为0.1Ω·cm以下的硅晶片。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的硅晶片的制造方法，其中，前述氧化膜表面侧的研磨布的阿斯卡C橡胶硬度为50°以上且70°以下。