[发明专利]抗弯曲多模光纤有效
申请号: | 201280012135.9 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN103415794B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | S·R·比克汉姆;D·C·布克班德;李明军;G·彭;P·J·龙科;P·坦登 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/028 | 分类号: | G02B6/028;G02B6/036 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 姬利永 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弯曲 光纤 | ||
1.一种多模光纤,包括:
包括最大折射率Δ百分比Δ1的中心多模纤芯区域,围绕所述纤芯并包括折射率Δ百分比Δ2的第一内环形区域,围绕所述内环形区域并包括Δ3的凹陷环形区域,以及包括折射率Δ百分比Δ4的第三环形区域,在距光纤中心小于或等于45微米的径向点处Δ4大于Δ2,所述第三环形区域围绕所述凹陷环形区域,其中Δ1MAX>Δ4>Δ2>Δ3,并且Δ4与Δ2之差大于或等于0.03德尔塔百分比。
2.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,Δ4与Δ2之差大于或等于0.06。
3.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述光纤还表现出在850nm处大于1.5GHz·km的满溢带宽。
4.如权利要求3所述的光纤,其特征在于,所述光纤还表现出在850nm处绕10mm直径心轴缠绕1匝的衰减增量小于或等于0.5dB/匝。
5.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述光纤还表现出在850nm处绕10mm直径心轴缠绕1匝的衰减增量小于或等于0.2dB/匝。
6.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述内环形区域包括氟、硼或其混合物。
7.如权利要求2所述的光纤,其特征在于,所述凹陷折射率环形部分具有大于2微米的宽度。
8.如权利要求7所述的光纤,其特征在于,所述第三环形区域包括从包括氯、GeO2、Al2O3、TiO2、P2O5或其混合物的组中选择的掺杂剂。
9.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述光纤还表现出在850nm处大于2.0GHz·km的满溢带宽。
10.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述光纤还表现出在850nm处大于3.5GHz·km的满溢带宽。
11.一种多模光纤,包括:
包括最大折射率Δ百分比Δ1的中心多模纤芯区域,所述多模纤芯区域延伸到具有折射率Δ百分比Δ2的径向点R1,Δ2是在一阶导数d(Δ%/Δ%max)/d(r/R1)等于-2.5的径向位置处测得的折射率Δ百分比,Δ%max是最大纤芯Δ,且R1是通过将纤芯折射率分布拟合到α分布而估算出的纤芯半径;围绕所述纤芯区域并包括Δ3的凹陷环形区域;以及围绕所述凹陷环形区域的外环形区域,所述外环形区域包括在距光纤中心小于或等于45微米的径向点处大于Δ2的折射率Δ百分比Δ4;其中Δ1MAX>Δ4>Δ2>Δ3,其中Δ4与Δ2之差大于或等于0.03德尔塔百分比。
12.如权利要求11所述的光纤,其特征在于,Δ4min与Δ2之差大于或等于0.06德尔塔百分比。
13.如权利要求11所述的光纤,其特征在于,所述光纤还表现出在850nm处大于1.5GHz·km的满溢带宽。
14.如权利要求13所述的光纤,其特征在于,所述光纤还表现出在850nm处绕10mm直径心轴缠绕1匝的衰减增量小于或等于0.5dB/匝。
15.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述光纤还表现出在850nm处绕10mm直径心轴缠绕1匝的衰减增量小于或等于0.2dB/匝。
16.如权利要求2所述的光纤,其特征在于,所述凹陷折射率环形部分具有大于2微米的宽度。
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