[发明专利]碳纳米结构体、电容器、加工碳纳米结构体的方法、以及制造碳纳米结构体的方法

权利要求书

1.一种加工碳纳米结构体的方法，包括以下步骤：

制备碳纳米结构体（1）（S10）；以及

在振动所述碳纳米结构体（1）的同时，使所述碳纳米结构体（1）暴露于能量束下（S20）。

2.根据权利要求1所述的加工碳纳米结构体的方法，其中，所述的使所述碳纳米结构体（1）暴露于所述能量束下的步骤（S20）是在所述碳纳米结构体（1）被超声振动的情况下进行的。

3.根据权利要求1或2所述的加工碳纳米结构体的方法，其中，所述的使所述碳纳米结构体（1）暴露于所述能量束下的步骤（S20）是以这样的方式进行的：将所述碳纳米结构体（1）置于支座（5）的表面上，并在这种状态下使所述支座（5）振动以使所述碳纳米结构体（1）振动。

4.根据权利要求1或2所述的加工碳纳米结构体的方法，其中，所述的使所述碳纳米结构体（1）暴露于所述能量束下的步骤（S20）是以这样的方式进行的：所述碳纳米结构体（1）的至少一部分固定在支座（5）的表面上，并在这种状态下使所述支座（5）振动以使所述碳纳米结构体（1）振动。

5.根据权利要求1或2所述的加工碳纳米结构体的方法，其中：

所述的制备所述碳纳米结构体（1）的步骤（S10）是在所述碳纳米结构体（1）被固定于支持体（31）的表面的情况下进行的；并且

所述的使所述碳纳米结构体（1）暴露于所述能量束下的步骤（S20）是以这样的方式进行的：将其上固定有所述碳纳米结构体（1）的所述支持体（31）置于支座（5）的表面上，并在这种状态下使所述支座（5）振动以使所述碳纳米结构体（1）振动。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的加工碳纳米结构体的方法，其中，所述的使所述碳纳米结构体（1）暴露于所述能量束下的步骤（S20）是在提供有电子束形式的所述能量束的情况下进行的。

7.根据权利要求6所述的加工碳纳米结构体的方法，其中，所述电子束的能量大于或等于1keV并且小于或等于30keV。

8.一种制造碳纳米结构体的方法，应用了权利要求1所述的加工碳纳米结构体的方法。

9.一种碳纳米结构体，其是通过使用权利要求8所述的制造碳纳米结构体的方法而制造的。

10.一种电容器，包括：

电极对，包括权利要求9所述的碳纳米结构体；以及

置于所述电极对之间的电解液和隔板（32）。