[发明专利]具超晶格电流扩展层的横向接触蓝光发光二极管

权利要求书

1.一种用于发出非单色光的发光二极管(LED)器件，所述LED器件包括：

衬底层；

低电阻层，设置在所述衬底层之上，其中所述低电阻层包括多个周期，并且其中所述低电阻层的至少一个周期包含氮化铝镓子层以及氮化镓子层；

n型层，设置在所述低电阻层之上并与所述低电阻层接触，并且其中所述n型层具有大于至少五百纳米的厚度；

有源层，设置在所述n型层之上，其中所述有源层包括多个周期，并且其中所述有源层的至少一个周期包括氮化铟镓子层以及氮化镓子层；

p型层，设置在所述有源层之上；

第一电极，设置在所述n型层的至少一部分上并与所述n型层的所述至少一部分电接触；以及

第二电极，设置在所述p型层的至少一部分上并与所述p型层的所述至少一部分电接触，并且其中所述第一电极与所述第二电极之间的电流使所述非单色光发出并且通过所述p层。

2.根据权利要求1所述的LED器件，其中，所述低电阻层具有方块电阻，其中所述n型层具有方块电阻，并且其中所述低电阻层的方块电阻小于所述n型层的方块电阻。

3.根据权利要求1所述的LED器件，其中，所述低电阻层的所述至少一个周期的所述氮化铝镓子层应变至所述低电阻层的氮化镓子层。

4.根据权利要求3所述的LED器件，其中，所述低电阻层的所述至少一个周期的所述氮化铝镓子层的厚度小于所述低电阻层的所述至少一个周期的所述氮化镓子层的厚度的一半。

5.根据权利要求3所述的LED器件，其中，所述至少一个周期的所述氮化铝镓子层具有一厚度，其中所述低电阻层的所述至少一个周期的所述氮化镓子层具有一厚度，并且其中所述至少一个周期的所述氮化镓子层的厚度与所述至少一个周期的所述氮化镓子层的厚度基本相同。

6.根据权利要求1所述的LED器件，还包括：

超晶格层，设置在所述n型层与所述有源层之间，其中所述超晶格层包括多个周期，其中所述超晶格层的至少一个周期包括具有第一铟浓度的第一氮化铟镓子层，并且包括具有第二铟浓度的第二氮化铟镓子层，并且其中所述第一铟浓度不同于所述第二铟浓度。

7.根据权利要求1所述的LED器件，还包括：

超晶格层，设置在所述n型层与所述有源层之间，其中所述超晶格层包括多个周期，其中所述超晶格层的至少一个周期包括氮化铟镓子层以及氮化镓子层。

8.根据权利要求1所述的LED器件，其中，所述衬底层是对于蓝光基本透明的绝缘衬底层。

9.根据权利要求1所述的LED器件，其中，所述衬底层为蓝宝石层，并且其中所述LED器件还包括：

模板层，设置在所述衬底层与所述低电阻层之间，其中所述模板层是一层选自由以下构成的组的材料：未掺杂氮化镓以及n型氮化镓。

10.根据权利要求1所述的LED器件，其中，所述第二电极包括透明导电层以及金属焊垫。

11.一种用于发出非单色光的发光二极管(LED)器件，所述LED器件包括：

蓝宝石衬底层；

低电阻层，设置在所述衬底层之上，其中所述低电阻层具有方块电阻，其中所述低电阻层包括多个周期，并且其中至少一个周期包括氮化镓子层；

n型层，设置在所述低电阻层之上并与所述低电阻层接触，其中所述n型层具有至少五百纳米的厚度，其中所述n型层的方块电阻高于所述低电阻层的方块电阻；

有源层，设置在所述n型层之上，其中所述有源层包括多个周期，并且其中所述有源层的至少一个周期包括氮化铟镓子层以及氮化镓子层；

p型层，设置在所述有源层之上；

第一电极，设置在所述n型层的至少一部分上并与所述n型层的所述至少一部分电接触；以及

第二电极，电设置在所述p型层的至少一部分上并与所述p型层的所述至少一部分电接触，并且其中所述第一电极与所述第二电极之间的电流使所述非单色光发出，使得至少部分所述光通过所述p型层。

12.根据权利要求11所述的LED器件，还包括：

设置在所述n型层与所述有源层之间的应变释放层。