[发明专利]相变存储器中的单元状态确定有效
| 申请号： | 201280012580.5 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103415889B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | A.潘塔齐;N.帕潘德里奥;C.波齐迪斯;A.塞巴斯蒂安;U.弗雷 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 周少杰 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 中的 单元 状态 确定 | ||
1.一种用于确定相变储存器单元（10）的状态的方法，所述方法包括：
用时间变化的读取电压（Vread）偏置单元（10）；
进行依赖于满足预定条件的测量（TM），该条件依赖于施加读取电压期间的单元电流；以及
依赖于所述测量确定单元（10）的状态。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述测量指示满足所述预定条件的读取电压级别。
3.如权利要求1所述的方法，包括用在电压级别的范围上随着时间变化的预定读取电压（Vread）偏置单元（10），其中所述测量（TM）指示满足所述预定条件花费的时间。
4.如权利要求3所述的方法，其中读取电压（Vread）随着时间增加。
5.如权利要求3或4所述的方法，其中读取电压（Vread）是时间的线性函数。
6.如权利要求3或4所述的方法，其中读取电压（Vread）是时间的线性函数。
7.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述预定条件是单元电流到达预定电流级别（ID,ID1,ID2）。
8.如权利要求3到6的任一所述的方法，其中所述预定条件是单元电流从第一预定电流级别（IDL）变为第二预定电流级别（IDH）。
9.如权利要求7或8所述的方法，其中所述预定电流级别（ID,ID1,ID2,IDL,IDH）不依赖于读取电压（Vread）。
10.如从属于权利要求3时的权利要求7或8所述的方法，其中所述预定电流级别（ID,ID1,ID2,IDL,IDH）是读取电压（Vread）的函数。
11.如权利要求7到10的任一所述的方法，其中所述预定电流级别（ID,ID1,ID2,IDL,IDH）小于对于所有单元状态的阈值切换电流。
12.如从属于权利要求3时的权利要求7或8所述的方法，其中所述预定电流级别（ID,ID1,ID2,IDL,IDH）是读取电压（Vread）的函数，并且在任何读取电压级别，该电流级别小于对于任何单元状态的阈值切换电流，任何单元状态具有直到该读取电压级别的阈值切换电压。
13.如权利要求1到6的任一所述的方法，其中所述预定条件是依赖于单元电流的积分的参数到达预定级别（VD）。
14.如前述任一权利要求所述的方法，包括当满足所述预定条件时，停止施加读取电压（Vread）。
15.如前述任一权利要求所述的方法，用于确定s级相变储存器单元（10）的状态，其中s>2，所述方法包括比较依赖于所述测量（TM）的度量与指示单元的s个级别的多个参考值，以确定单元的状态。
16.一种用于确定相变储存器单元（10）的状态的装置，所述装置包括：
测量电路（20），用于用时间变化的读取电压（Vread）偏置单元，并且用于进行依赖于满足预定条件的测量（TM），该条件依赖于施加读取电压期间的单元电流；以及
控制器（5），用于依赖于所述测量确定单元的状态。
17.一种相变储存器器件（1），包括：
储存器（2），其包括多个相变储存器单元（10）；以及
读取/写入装置（3），用于在相变储存器单元中读取和写入数据，其中读取/写入装置包括如权利要求16所述的用于确定所述储存器单元的状态的装置。
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