[发明专利]半导体发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光二极管，其具有包括发光部的半导体层和位于所述半导体层上的焊盘电极，所述半导体发光二极管包括：

在所述半导体层和所述焊盘电极之间的反射部和接触部，所述反射部包括位于所述半导体层上的作为电流阻挡层的透光性绝缘层以及位于所述透光性绝缘层上的反射层，所述接触部位于所述半导体层上并包括与所述反射部接触的欧姆电极；以及

在所述反射层和所述焊盘电极之间的导电性硬膜，

其中所述导电性硬膜的HV×t＞630，其中维氏硬度是HV(Hv)并且厚度是t(μm)。

2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其中所述导电性硬膜的维氏硬度HV高于所述焊盘电极和所述反射层二者的维氏硬度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光二极管，其中所述导电性硬膜的维氏硬度HV为600Hv以上。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体发光二极管，其中所述导电性硬膜的厚度t为0.3μm以上。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体发光二极管，其中所述导电性硬膜的厚度t为2μm以下。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的半导体发光二极管，其中所述导电性硬膜由Ti、Ta、Cr、W、Mo和V的任意一种单独制成或者其氮化物制成。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的半导体发光二极管，其中在向所述导电性硬膜供给电流期间的电压降等于或者低于所述半导体层的阈值电压。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的半导体发光二极管，其中所述导电性硬膜覆盖整个所述反射层和至少部分所述欧姆电极。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的半导体发光二极管，其中形成所述欧姆电极以围绕所述反射部。

10.一种半导体发光二极管的制造方法，所述半导体发光二极管包括具有发光部的半导体层和位于所述半导体层上的焊盘电极，所述方法包含如下步骤：

形成所述半导体层；

在所述半导体层上形成包括具有预定图案的欧姆电极的接触部；

在所述半导体层上形成作为电流阻挡层的透光性绝缘层，并在所述透光性绝缘层上形成反射层，由此形成与所述接触部接触的反射部；

在所述反射层上形成HV×t＞630的导电性硬膜，其中维氏硬度是HV(Hv)并且厚度是t(μm)；以及

在所述导电性硬膜上形成所述焊盘电极。