[发明专利]发光设备有效
申请号: | 201280012652.6 | 申请日: | 2012-03-08 |
公开(公告)号: | CN103443920A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 克里斯蒂安·盖特纳;阿莱斯·马尔基坦;扬·马费尔德 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/50;F21Y113/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 设备 | ||
1.一种发光设备,所述发光设备具有:至少一个第一发光半导体器件(1),所述第一发光半导体器件(1)在运行中放射红光;至少一个第二发光半导体器件(2),所述第二发光半导体器件(2)具有波长转换元件;和至少一个第三发光半导体器件(3),所述第三发光半导体器件(3)具有波长转换元件,其中所述第二发光半导体器件和第三发光半导体器件(2,3)分别放射蓝色的初级光和转换的次级光并且所述第二发光半导体器件和第三发光半导体器件(2,3)的初级光和次级光的相应的叠加具有不同的色度坐标。
2.根据权利要求1所述的发光设备,其中红光是准单色的。
3.根据上述权利要求之一所述的发光设备,其中红光具有在大于或等于600nm并且小于或等于700nm的范围中的峰值波长。
4.根据上述权利要求之一所述的发光设备,其中由所述第二发光半导体器件和/或第三发光半导体器件(2,3)放射的蓝色的初级光具有在大于或等于430nm并且小于或等于480nm的范围中的峰值波长。
5.根据上述权利要求之一所述的发光设备,其中所述第二发光半导体器件(2)放射具有色坐标(cx,cy)且cy≤0.45的光,并且所述第三发光半导体器件(3)放射具有色坐标(cx,cy)且cy≥0.37的光,其中由所述第二发光半导体器件(2)发射的光的色度坐标cy小于或等于由所述第三发光半导体器件(3)发射的光的色度坐标cy。
6.根据上述权利要求之一所述的发光设备,其中所述第二发光半导体器件(2)放射具有下述色坐标(cx,cy)的光,所述色坐标位于CIE标准比色图表中的具有位于色度坐标(0.15,0.25),(0.25,0.20),(0.40,0.43)和(0.20,0.45)处的角的多角形的区域中,并且其中所述第三发光半导体器件(3)放射具有下述色坐标(cx,cy)的光:所述色坐标位于CIE标准比色图表中的具有位于色度坐标(0.20,0.40),(0.37,0.37),(0.52,0.48)和(0.22,0.75)处的角的多角的区域中,其中由所述第二发光半导体器件(2)发射的光的色度坐标cy小于或等于由所述第三发光半导体器件(3)发射的光的色度坐标cy。
7.根据权利要求6所述的发光设备,其中由所述第二发光半导体器件和第三发光半导体器件(2,3)放射的光在色度坐标(0.20,0.35)、(0.30,0.30)、(0.42,0.52)和(0.25,0.60)处的色度坐标范围中的角点相叠加。
8.根据权利要求1至5之一所述的发光设备,其中所述第二发光半导体器件(2)放射具有色坐标(cx,cy)为0.20≤cx≤0.31且0.1≤cy≤0.32的光,并且其中所述第三发光半导体器件(3)放射具有色坐标(cx,cy)为0.35≤cx≤0.45并且0.44≤cy≤0.61的光。
9.根据上述权利要求之一所述的发光设备,其中所述发光半导体器件(1,2,3)设置在共同的载体上,尤其设置在共同的壳体(4)中。
10.根据权利要求1至8之一所述的发光设备,其中所述发光半导体器件(1,2,3)设置在单独的载体上,尤其设置在单独的壳体中。
11.根据上述权利要求之一所述的发光设备,所述发光设备还包括调节电流的器件,所述调节电流的器件调节所述发光半导体器件(1,2,3)的工作电流,使得由所述发光设备放射的混合光沿着普朗克黑体辐射体的白色曲线(90)至少能够在大于或等于2400K并且小于或等于6500K的范围中的具有大于或等于500K大小的色温范围内进行调节。
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