[发明专利]用于原子层沉积的装置

权利要求书

1.一种用于在片状基材的表面上进行原子层沉积的装置，所述装置包括：

-喷射头，所述喷射头包括

沉积空间，所述沉积空间设置有前体供应部和前体排出部；所述供应部和所述排出部布置成用于将前体气体流从所述前体供应部经由所述沉积空间供应至所述前体排出部；所述沉积空间在使用中由所述喷射头和所述基材表面定界；

气体承载部，所述气体承载部包括承载气体喷射器，所述承载气体喷射器布置成用于将所述承载气体喷射到所述喷射头与所述基材表面之间，所述承载气体由此形成气体承载部；

-支承部分，所述支承部分与所述喷射头相对地布置，所述支承部分构造成提供气体承载压力布置，所述气体承载压力布置抵抗输送平面中的喷射头气体承载压力，使得所述基材通过所述气体承载压力布置而在所述喷射头与所述支承部分之间被平衡成是无支承的；以及

-输送系统，所述输送系统包括引入区域（15）和驱动部段（18）；

所述驱动部段包括运输元件，所述运输元件布置成提供所述基材和所述喷射头的沿所述基材的平面的相对运动以形成输送平面，所述基材被沿所述输送平面输送；和

所述引入区域包括倾斜壁部，所述倾斜壁部相对于所述输送平面对称地布置并且构造成在朝向所述驱动部段的第一输送方向上降低超出所述输送平面的工作高度；其中，缝隙状出口布置成横跨所述倾斜壁部和所述驱动部段，所述缝隙状出口以横向于所述第一输送方向的方式延伸越过所述引入区域；以及气流供应部，所述气流供应部用于提供沿所述基材流出所述缝隙状出口的气流，以提供与所述第一输送方向相反的高冲击颗粒去除气流。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述沉积空间相对于所述基材表面限定沉积空间高度D2；并且其中，所述气体承载部相对于所述基材限定间隙距离D1，所述间隙距离D1小于所述沉积空间高度D2。

3.根据权利要求1或者2所述的装置，其中，所述前体排出部邻近于所述前体供应部设置，以限定前体气流，所述前体气流与所述基材的所述输送方向对准；和/或其中，在使用中，所述前体排出部和所述前体供应部都面对所述基材表面。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的装置，其中，所述喷射头包括压力控制器，所述压力控制器用于根据基材的存在与否来开关所述前体供应部、所述前体排出部、和/或所述气体喷射器中的任一个。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述支承部分包括与前体排出部相对的排出部，所述排出部能够根据基材在所述沉积区域中的存在与否来开关，使得，当基材边缘通过所述前体排出部时，远离面对所述支承部分的所述基材表面来提供前体流。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的装置，其中，所述喷射头包括设置有反应物供应部的另一沉积空间，所述另一沉积空间在使用中由流动屏障定界，其中，所述装置优选地布置成用于在所述另一沉积空间中提供反应气体、等离子体、激光产生的辐射、及紫外线辐射中的至少一种，以在所述前体气体沉积在所述基材表面的至少一部分上之后使所述前体起反应。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的装置，其中，所述输送系统包括引入区域；和工作区域，所述工作区域邻近于所述引入区域并且相对于所述输送平面排列；其中，所述喷射头设置在所述工作区域中，并且其中，片状基材能够被插置在所述引入区域中。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述引入区域具有顶壁部分，所述顶壁部分能够移动以设定工作高度。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述喷射头能够朝向所述输送平面移动以及远离所述输送平面移动。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述输送系统包括运输元件，所述运输元件设置有交替地布置的成对的进气口和出气口；所述输送系统包括气流控制系统，所述气流控制系统布置成提供气体承载压力和沿所述输送平面的气流，以通过控制所述气流来提供所述基材的运动。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述成对的出气口和进气口设置在面对所述输送平面的袋区中，以在所述袋区中提供沿所述输送平面从所述出气口至所述进气口的流动；并且其中，所述出气口设置有限流器，以提供定向的气体承载部。