[发明专利]触摸屏及其制造方法、以及包括触摸屏的液晶显示装置在审
申请号: | 201280012894.5 | 申请日: | 2012-01-10 |
公开(公告)号: | CN103415830A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 柳永先;李勇真;蔡京勳;李东烈;卢泳辰;李善荣 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触摸屏 及其 制造 方法 以及 包括 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种触摸屏及其制造方法、以及包括触摸屏的液晶显示装置。
背景技术
近来,触摸屏已被应用至各种电器,所述触摸屏通过诸如手写笔或手的输入装置触摸在显示装置上显示的图像来执行输入功能。
触摸屏可以主要被分为电阻式触摸屏和电容式触摸屏。在电阻式触摸屏中,输入装置的压力造成玻璃与电极短路,从而触摸点被检测到。在电容式触摸屏中,当用户的手指触摸在电容式触摸屏上时,检测到电极之间的电容变化,从而触摸点被检测到。
在这种情况下,为了图案化电极,需要多种制造工艺,例如形成掩模的工艺和沉积电极材料的工艺。因而,制造工艺可能是复杂的,且制造成本可能会增加。
通常,电极包括氧化铟锡(ITO)。当通过沉积ITO来制造电极时,形成薄的沉积厚度,因而电极呈现出高的阻抗。
因此,分别需要包括替代ITO的电极材料的触摸屏,以及通过简单工艺使用电极材料形成的电极。
发明内容
技术问题
实施例涉及一种触摸屏及其制造方法,其中制造工艺能够被简化,且工艺成本能够被降低。
技术方案
根据实施例,提供一种触摸屏,包括包含有至少一个凹陷部分的基板,以及形成在该凹陷部分中以检测位置的透明电极。
有益效果
如上所述,在根据实施例的触摸屏及其制造方法中,由于在基板中形成凹陷部分且在凹陷部分中形成电极,从而制造工艺被简化。因此,制造工艺和制造成本能够降低。特别地,当形成双层触摸屏的透明电极时,由于可省略额外的膜或额外的基板,从而触摸屏的层叠结构能够被简化。因此,透光率能够增大,厚度能够减少。当在凹陷部分中形成电极时,可以借由使用替代传统ITO的电极材料来形成电极。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的触摸屏的截面图;
图2是示出根据第二实施例的触摸屏的截面图;
图3是示出根据第三实施例的触摸屏的截面图;
图4-图9是示出图9中的触摸屏的制造方法的截面图;以及
图10是示意性地示出液晶显示装置的截面图。
具体实施方式
在对实施例的描述中,可以理解,当某一层(或膜)、某一区域、某一图案或某一结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一衬垫或另一图案之“上”或之“下”时,其可以“直接”或“间接”地在该另一基板、层(或膜)、区域、衬垫或图案上,或也可以存在有一个或多个中间层。参考附图,描述了层的这种位置。
为方便或清晰起见,附图中示出的每一层的厚度和尺寸可能被放大、省略或示意性地示出。此外,元件的尺寸并非绝对地反映实际尺寸。
下文,将参考附图详细地描述本发明的实施例。
下文,参考图1描述根据第一实施例的触摸屏100。图1是示出根据第一实施例的触摸屏的截面图。
参见图1,在根据第一实施例的触摸屏100中,可以在基板10上形成用于检测输入装置的透明电极20。此外,可提供连接至透明电极20和印刷电路板40的互连件30,其中印刷电路板40能够将互连件30连接至外部电路(图中未示出)。
如果诸如手指的输入装置触摸在触摸屏上,则在被输入装置触摸的部分上形成了电容差,并且呈现出电容差的触摸部分可以被检测为触摸点。
下文,将更详细地描述触摸屏100。
在具有凹陷部分10a的基板10上形成透明电极20之后,互连件30可连接至透明电极20,且印刷电路板40可连接至互连件30。此外,可形成散播防护膜50(scattering prevention film)以覆盖透明电极20、互连件30和印刷电路板40。
基板10可包括支撑透明电极20和互连件30的各种材料。例如,基板10可包括玻璃基板。
此后,可以在基板10上形成至少一个凹陷部分10a。凹陷部分10a的深度可形成为基板10厚度的50%或更少。如果凹陷部分10a的深度超过基板10厚度的50%,则由于形成在基板10中的凹陷部分10a,基板10的物理强度可能会减弱。
凹陷部分10a的形状可以与待形成在基板10上的透明电极20的形状相同。换言之,凹陷部分10a的形状与透明电极20的形状完全相同。
此后,透明电极20形成在基板10的凹陷部分10a中。透明电极20可包括可印刷的糊料。例如,透明电极20可包括碳纳米管(CNT)、导电聚合物以及银纳米管。这些材料可以替代氧化铟锡(ITO)。这些材料在价格上具有优势,且可通过简单的工艺形成。
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