[发明专利]具有位错弯曲结构的发光装置

权利要求书

1.一种发射装置，其包含：

衬底；

有源区，其位于该衬底的第一侧；及

位错弯曲结构，其位于该衬底与该有源区之间，其中该位错弯曲结构包含至少四十对相邻层，其中每一对相邻层包括：

第一层，其由包括一元素的材料构成；及

第二层，其由包括该元素的材料构成，其中对于该第一层及该第二层，该元素的摩尔分数相差至少百分之五。

2.如权利要求1所述的发射装置，其中该位错弯曲结构中的每一对相邻层包含介于约十纳米与约一微米之间的总厚度。

3.如权利要求2所述的发射装置，其中不同对相邻层的总厚度变化高达约百分之五十。

4.如权利要求1所述的发射装置，进一步包含中间层，该中间层位于该衬底与该位错弯曲结构之间。

5.如权利要求1所述的发射装置，其中该中间层包含成核层。

6.如权利要求1所述的发射装置，其中所述相邻层中的至少一对的第一层和第二层中的至少一者包含短周期超晶格。

7.如权利要求1所述的发射装置，其中所述相邻层中的至少一对的第一层和第二层中的至少一者包含渐变组分和渐变掺杂中的至少一者。

8.如权利要求1所述的发射装置，其中该元素包含第III族元素。

9.如权利要求8所述的发射装置，其中该材料包含基于第III族氮化物的材料。

10.如权利要求1所述的发射装置，其中该有源区包括一组量子阱，所述量子阱与一组势垒交织，且其中该组势垒中的至少一者具有第III族元素的渐变摩尔分数。

11.一种发射装置，其包含：

衬底；

有源区，其位于该衬底的第一侧；及

位错弯曲结构，其位于该衬底与该有源区之间，其中该位错弯曲结构包含用于使自该衬底传播的至少一些位错在到达该有源区之前发生弯曲或消灭中的至少一者的构件。

12.如权利要求11所述的发射装置，其中该构件包括用于产生足够大以诱发所述至少一些位错的弯曲的应变的构件。

13.如权利要求11所述的发射装置，其中该构件包括多个层，其中每一对相邻层包括：

第一层，其由包括一元素的材料构成；及

第二层，其由包括该元素的材料构成，其中对于该第一层及该第二层，该元素的摩尔分数存在差异。

14.如权利要求13所述的发射装置，其中所述摩尔分数的差异是基于目标应变量而选择的。

15.如权利要求13所述的发射装置，其中所述摩尔分数的差异是基于该第一层和该第二层中的至少一者的厚度而选择的。

16.如权利要求13所述的发射装置，其中所述多个层包括至少四十个周期，其中每一周期包括所述多个层中的至少两者，且其中所述多个层中的所述至少两者之间的摩尔分数的差异为至少百分之五。

17.一种制造发射装置的方法，该方法包含：

在衬底的第一侧上形成位错弯曲结构，其中该位错弯曲结构包含用于使自该衬底传播的至少一些位错在到达有源区之前发生弯曲和消灭中的至少一者的构件；及

在该位错弯曲结构的与该衬底相反的一侧上形成有源区。

18.如权利要求17所述的方法，进一步包含设计该位错弯曲结构以产生应变，该应变足够大以诱发所述至少一些位错的弯曲。

19.如权利要求17所述的方法，其中所述形成该位错弯曲结构包括形成多个层，其中每一对相邻层包括：

第一层，其由包括一元素的材料构成；及

第二层，其由包括该元素的材料构成，其中对于该第一层及该第二层，该元素的摩尔分数存在差异。

20.如权利要求19所述的方法，进一步包含基于目标应变量选择所述摩尔分数的差异。

21.如权利要求19所述的方法，进一步包含基于该第一层和该第二层中的至少一者的厚度选择所述摩尔分数的差异。