[发明专利]氧化钌粉末、使用它的厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体有效

专利信息
申请号: 201280013181.0 申请日: 2012-06-15
公开(公告)号: CN103429537A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 川久保胜弘;前田俊辉;进藤拓生;永野崇仁 申请(专利权)人: 住友金属矿山株式会社
主分类号: C01G55/00 分类号: C01G55/00;H01C7/00
代理公司: 北京三幸商标专利事务所 11216 代理人: 刘激扬
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 氧化 粉末 使用 电阻 体用 组合
【权利要求书】:

1.一种氧化钌粉末,其为具有金红石型晶体结构的氧化钌(RuO2)粉末,其特征为,以X射线衍射法测定其(110)面得到的微晶直径为3至10nm,且Ru含量为73质量%以上。

2.如权利要求1所述的氧化钌粉末,其中氧化钌(RuO2)粉末的比表面积为70m2/g以上200m2/g以下。

3.如权利要求1或2所述的氧化钌粉末,其中氧化钌(RuO2)粉末的微晶直径D1与比表面积直径D2的比满足下述式(1),

D1/D2≥0.70   …(1)

其中,微晶直径D1为利用X射线衍射法于金红石型结晶结构的(110)面测定得到的值(nm),比表面积直径D2为将粉末的比表面积表示为S(m2/g)、将密度表示为ρ(g/cm3)时通过6×10-6/(ρ·S)计算得到的值(nm)。

4.一种厚膜电阻体用组合物,其是通过将由权利要求1至3项中任一项所述的氧化钌粉末形成的导电性微粒与玻璃粉末作为主要构成成分混配而成的。

5.如权利要求4所述的厚膜电阻体用组合物,其中作为导电性微粒,进一步混配了从银(Ag)粉、钯(Pd)粉或由钯覆盖的银粉的氧化物粉末以及贵金属粉末中选出的任意一种以上。

6.如权利要求4或5所述的厚膜电阻体用组合物,其中导电性微粒与玻璃粉末以5:95至70:30范围的质量比混配。

7.如权利要求4至6项中任一项所述的厚膜电阻体用组合物,其中玻璃粉末的50%累计粒度为5μm以下。

8.一种厚膜电阻体糊状物,其是通过将权利要求4至7中任一项所述的厚膜电阻体组合物分散于含脂肪酸的有机载体中而得到的厚膜电阻体糊状物,其特征为,相对于100重量份的氧化钌而言,脂肪酸的含量为0.1至10重量份。

9.如权利要求8所述的厚膜电阻体糊状物,其中脂肪酸为碳原子数在12以上的高级脂肪酸。

10.如权利要求8所述的厚膜电阻体糊状物,其中导电性微粒与玻璃粉末以5:95至70:30范围的质量比混配。

11.一种厚膜电阻体,其是通过在陶瓷基板上烧制权利要求4至7项中任一项所述的厚膜电阻体用组合物而得到的。

12.一种厚膜电阻体,其是通过在陶瓷基板上涂布权利要求8至10项中任一项所述的厚膜电阻体糊状物后烧制而形成的。

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