[发明专利]具有用于EMI滤波器的峰值电流限制器的照明电源电路有效

专利信息
申请号: 201280013208.6 申请日: 2012-02-24
公开(公告)号: CN103493348A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: L.R.內罗涅 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44;H02M1/12;H03H1/00;H05B33/08;H05B41/392
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐予红;汤春龙
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 用于 emi 滤波器 峰值 电流 限制器 照明 电源 电路
【权利要求书】:

1.一种用于向至少一个光源供电的电路,包括:

整流器电路,其具有接收AC输入功率的AC输入端子以及提供经整流的DC功率的第一和第二DC输出端子;

EMI滤波器电路,其具有与所述整流器电路的DC输出端子耦合的第一和第二滤波器输入端子以及第一和第二滤波器输出端子,所述EMI滤波器电路包括:

滤波器电容,其中第一端子与所述整流器电路的第一DC输出端子耦合,

场效应晶体管,包括:

第一源/漏端子,其与所述滤波器电容的第二端子耦合,

第二源/漏端子,其与所述整流器电路的第二DC输出端子耦合,以及

栅端子,其与所述整流器电路的第二DC输出端子耦合,以及

电感,其具有与所述整流器电路的第一DC输出端子耦合的第一端子和与所述第一滤波器输出端子耦合的第二端子;以及

功率变换器电路,其包括具有与所述滤波器输出端子(102a,102)耦合的DC输入端子的至少一个DC至DC变换器电路,所述功率变换器电路可操作以向至少一个光源直接或间接提供功率。

2.如权利要求1所述的电路,其中,所述功率变换器电路可操作以提供驱动至少一个LED光源的DC输出。

3.如权利要求1所述的电路,其中,所述功率变换器电路包括从所述至少一个DC至DC变换器电路接收DC输出并且提供向至少一个荧光灯供电的AC输出的逆变器。

4.如权利要求1所述的电路,其中,所述场效应晶体管是耗尽型场效应晶体管。

5.如权利要求4所述的电路,其中,所述场效应晶体管是耗尽型N沟道场效应晶体管,其中所述滤波器电容的第一端子与所述整流器电路的正DC输出端子耦合,并且其中所述第二源/漏端子和所述栅端子与所述整流器电路的负DC输出端子耦合。

6.如权利要求5所述的电路,其中,所述功率变换器电路可操作以提供驱动至少一个LED光源的DC输出。

7.如权利要求5所述的电路,其中,所述功率变换器电路包括从所述至少一个DC至DC变换器电路接收DC输出并且提供向至少一个荧光灯供电的AC输出的逆变器。

8.如权利要求4所述的电路,其中,所述场效应晶体管是耗尽型P沟道场效应晶体管,其中所述滤波器电容的第一端子与所述整流器电路的负DC输出端子耦合,并且其中所述第二源/漏端子和所述栅端子与所述整流器电路的正DC输出端子耦合。

9.如权利要求1所述的电路,其中,所述场效应晶体管是增强型场效应晶体管。

10.如权利要求9所述的电路,其中,所述EMI滤波器电路包括耦合到所述场效应晶体管以向所述栅端子提供偏压的偏置电路。

11.如权利要求10所述的电路,其中,所述场效应晶体管是N沟道增强型场效应晶体管,其中所述滤波器电容的第一端子与所述整流器电路的正DC输出端子耦合,其中所述场效应晶体管的第二源/漏端子与所述整流器电路的负DC输出端子耦合,并且其中所述偏置电路包括:

第一电阻器,其耦合在所述场效应晶体管的栅端子与正供给电压之间,以及

第二电阻器,其耦合在所述场效应晶体管的栅端子与所述整流器电路的负DC输出端子之间。

12.如权利要求11所述的电路,其中,所述EMI滤波器电路包括耦合在所述场效应晶体管的第二源/漏端子与所述整流器电路的负DC输出端子之间的第三电阻器。

13.如权利要求9所述的电路,其中,所述功率变换器电路可操作以提供驱动至少一个LED光源的DC输出。

14.如权利要求9所述的电路,其中,所述功率变换器电路包括从所述至少一个DC至DC变换器电路接收DC输出并且提供向至少一个荧光灯供电的AC输出的逆变器。

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