[发明专利]具有重新分布用于倒装芯片安装的垂直接触件的LED

权利要求书

1.一种发光二极管（LED）结构，包括：

半导体层，其包括第一传导层、有源层和第二传导层，第一传导层具有底表面，并且第二传导层具有光通过其发射的顶表面；

第一金属层，其具有第一部分，该第一部分电连接到第一传导层的底表面并与之相对；

第一电介质部分，其延伸通过第一金属层以将第一金属层的第二部分与第一部分隔离；

金属分流器，其将第一金属层的第二部分电连接到第二传导层的顶表面；

一个或多个第一电极，其电连接到第一金属层的第一部分；以及

一个或多个第二电极，其电连接到第一金属层的第二部分以使得该LED结构形成倒装芯片。

2.权利要求1的结构，进一步包括第二电介质部分，其将金属分流器与第二传导层的顶表面以外的其他部分隔离。

3.权利要求2的结构，进一步包括：

第三电介质部分，其沿着第一金属层的第一部分的节段延伸；以及

第二电极中的所述一个或多个在第三电介质之上形成并且与第一金属层的第二部分电接触。

4.权利要求1的结构，其中第一传导层、有源层和第二传导层已被从第一电介质部分上和第一金属的第二部分上移除。

5.权利要求1的结构，其中第一传导层、有源层和第二传导层已被至少从第一金属的第二部分上移除。

6.权利要求1的结构，其中第一金属层是第一镀铜层。

7.权利要求6的结构，其中所述金属分流器是第二镀铜层。

8.权利要求1的结构，进一步包括第二电介质部分，其沿着第二传导层的至少一个边缘形成并且将金属分流器与第二传导层的顶表面以外的其他部分隔离。

9.权利要求8的结构，其中所述金属分流器位于第二电介质部分上面并且电接触第二传导层的顶表面，其中所述金属分流器围绕第二传导层的顶表面的外围形成。

10.权利要求1的结构，其中第一传导层是p-型层，并且第二传导层是n-型层。

11.权利要求10的结构，其中LED结构是基于GaN的LED结构。

12.一种形成倒装芯片LED结构的方法，包括：

提供生长衬底；

在生长衬底上外延生长半导体层，其包括第一传导层、有源层和第二传导层，第一传导层具有底表面，并且第二传导层具有光通过其发射的顶表面；

形成与第一传导层的底表面相对的第一电介质部分，

在第一传导层的底表面上沉积第一金属层，该第一金属层被阻挡沉积在第一电介质部分位于其中的第一传导层的底表面上；

移除生长衬底；

蚀刻掉覆盖在第一电介质部分上的至少第一传导层、有源层和第二传导层，以使得第一电介质部分将第一金属层的第一部分与第一金属层的第二部分电隔离，其中第一金属层的第一部分与第一传导层相对并且电接触；

形成金属分流器，其将第一金属层的第二部分电连接到第二传导层的顶表面；

形成一个或多个第一电极，其电连接到第一金属层的第一部分；以及

形成一个或多个第二电极，其电连接到第一金属层的第二部分以使得该LED结构形成倒装芯片。

13.权利要求12的方法，其中生长衬底是支撑多个LED结构的晶片，该方法进一步包括：

沿着限定用于从彼此分离出多个LED结构的分离线的区域形成第二电介质部分，第一电介质部分和第二电介质部分形成与中间的第一金属层的第二部分相对的壁。

14.权利要求12的方法，其中多个LED结构形成在生长衬底上，所述金属分流器接触与邻近LED结构的第一金属层的第一部分电接触的一个LED结构的第二传导层的顶表面，使得所述一个LED结构和邻近的LED结构串联地电连接。

15.权利要求12的方法，进一步包括形成从第一电介质部分延伸至第二传导层的至少顶表面的第二电介质部分，该第二电介质部分将金属分流器与第二传导层的顶表面以外的其他部分隔离。

16.权利要求15的方法，进一步包括：

形成沿着第一金属层的第一部分的节段延伸的第三电介质部分；以及

形成第二电极中的所述一个或多个，其在第三电介质之上并且与第一金属层的第二部分电接触。