[发明专利]电荷泵静电放电保护有效

专利信息
申请号: 201280013240.4 申请日: 2012-03-14
公开(公告)号: CN103430448A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: A·斯里瓦斯塔瓦;E·R·沃克莱;G·缪;X·全 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03F1/52 分类号: H03F1/52;H01L27/02;H02M3/07
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 亓云
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电荷 静电 放电 保护
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

多个开关,配置成相继将飞驰电容器的第一和第二节点与多个节点电耦合以及解耦,其中所述多个开关包括将所述飞驰电容器的所述第二节点耦合至负输出电压节点的Vneg开关;以及

第一ESD检测模块,配置成在电源电压节点和负输出电压节点之间检测ESD事件,所述Vneg开关配置成响应于由所述第一ESD检测模块检测到的ESD事件,将所述飞驰电容器第二节点电耦合至所述负输出电压节点。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个开关还包括将所述接地节点耦合至所述飞驰电容器第二节点的接地开关,所述装置还包括:

第二ESD检测模块,配置成在接地节点和所述负输出电压节点之间检测ESD事件,所述接地开关还配置成响应于由所述第二ESD检测模块检测到的ESD事件,将所述接地节点电耦合至所述飞驰电容器第二节点。

3.如权利要求1所述的装置,还包括从所述负输出电压节点向所述飞驰电容器第二节点正向偏置的二极管。

4.如权利要求2所述的装置,所述Vneg开关还配置成响应于由所述第二ESD检测模块检测到的ESD事件,将所述飞驰电容器第二节点电耦合至所述负输出电压节点。

5.如权利要求4所述的装置,还包括从所述飞驰电容器第二节点向所述电源电压节点正向偏置的二极管。

6.如权利要求1所述的装置,所述Vneg开关包括NMOS晶体管,所述装置还包括驱动电路,所述驱动电路用于在正常电荷泵操作期间驱动所述NMOS晶体管,所述驱动电路配置成响应于由所述第一ESD检测模块检测到的所述ESD事件被禁用,所述装置还包括第一栅极上拉模块,所述第一栅极上拉模块配置成响应于由所述第一ESD检测模块检测到的所述ESD事件上拉所述Vneg开关的所述NMOS晶体管的栅极。

7.如权利要求6所述的装置,所述驱动电路配置成响应于由所述第二ESD检测模块检测到的所述ESD事件被禁用,所述第一栅极上拉模块还配置成响应于由所述第二ESD检测模块检测到的所述ESD事件上拉所述Vneg开关的所述NMOS晶体管的所述栅极。

8.如权利要求1所述的装置,所述第一ESD检测模块包括:

电容器,将所述电源电压节点耦合至第一ESD检测电压节点;以及

电阻器,将所述第一ESD检测电压节点耦合至所述负输出电压节点。

9.如权利要求6所述的装置,所述第一ESD检测模块包括:

电容器,将所述电源电压节点耦合至第一ESD检测电压节点;以及

电阻器,耦合所述第一ESD检测电压节点和所述负输出电压节点;所述第一栅极上拉模块包括:

PMOS晶体管,包括耦合至所述飞驰电容器第二节点的源极;以及

二极管,将所述PMOS晶体管的漏极耦合至所述Vneg开关的所述NMOS晶体管的所述栅极,所述二极管从所述PMOS晶体管的所述漏极向所述NMOS晶体管的所述栅极正向偏置;所述装置还包括:

反相器,将所述第一ESD检测电压节点耦合至所述第一栅极上拉模块的所述PMOS晶体管的所述栅极。

10.如权利要求2所述的装置,所述接地开关包括NMOS晶体管,所述装置还包括驱动电路,所述驱动电路用于在正常电荷泵操作期间驱动所述NMOS晶体管,所述驱动电路配置成响应于由所述第二ESD检测模块检测到的所述ESD事件被禁用,所述装置还包括第二栅极上拉模块,所述第二栅极上拉模块配置成响应于由所述第二ESD检测模块检测到的所述ESD事件上拉所述接地开关的所述NMOS晶体管的所述栅极。

11.如权利要求2所述的装置,所述第二ESD检测模块包括:

电容器,将所述接地节点耦合至第二ESD检测电压节点;以及

电阻器,将所述第二ESD检测电压节点耦合至所述负输出电压节点。

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