[发明专利]制造具有带50nm及更小行间距尺寸的图案化材料层的集成电路装置、光学装置、微型电机和机械精密装置的方法有效
申请号: | 201280013375.0 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN103430102B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | A·克里普;G·奥特;S·蒙特罗潘切拉;A·洪丘克;C·比特纳 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;C11D1/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 刘娜,刘金辉 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 具有 50 nm 行间 尺寸 图案 材料 集成电路 装置 光学 微型 电机 机械 精密 方法 | ||
1.一种制造集成电路装置、光学装置、微型电机和机械精密装置的方法,所述方法包括以下步骤:
(1)提供具有带50nm及更小行间距尺寸和>2纵横比的图案化材料层的基材;
(2)通过使半导体基材与含有至少一种带至少一个阳离子或潜阳离子基团的无氟阳离子型表面活性剂A、至少一种带至少一个阴离子或潜阴离子基团的无氟阴离子型表面活性剂A或至少一种无氟两性表面活性剂A的无氟含水溶液S接触至少一次而提供带正或负电荷的图案化材料层表面;和
(3)从与基材接触中除去无氟含水溶液S。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于基材为半导体基材。
3.根据权利要求1或2的方法,其特征在于图案化材料层具有32nm及更小行间距尺寸以及对于非光刻胶结构>10的纵横比和对于光刻胶结构>2的纵横比。
4.根据权利要求1-3中任一项的方法,其特征在于含水溶液S作为浸液S用于在通过掩模用光化性光辐射的过程中浸渍光刻胶,作为显影剂溶液S用于通过掩模暴露于光化辐射的光刻胶层和作为化学冲洗溶液S用于冲洗图案化材料层。
5.根据权利要求1-4中任一项的方法,其特征在于图案化材料层选自图案化显影光刻胶层、图案化屏障材料层、图案化多重堆叠材料层和图案化介电材料层。
6.根据权利要求1-5中任一项的方法,其特征在于潜阳离子和阳离子基团选自伯、仲和叔氨基团,伯、仲、叔和季铵基团,脲硫脲和胍基团,季基团以及叔锍基团;潜阴离子和阴离子基团选自羧酸、磺酸、膦酸、硫酸单酯、磷酸单酯和磷酸二酯以及羧酸盐、硫酸盐、膦酸盐、硫酸盐单酯、磷酸盐单酯和磷酸盐二酯基团。
7.根据权利要求1-6中任一项的方法,其特征在于溶液S含有基于溶液S的总重量为0.0005-1重量%离子型表面活性剂A。
8.根据权利要求1-7中任一项的方法,其特征在于通过离心干燥或利用Marangoni效应的干燥方法从与基材接触中除去溶液S。
9.根据权利要求1-8中任一项的方法,其特征在于具有带50nm及更小行间距尺寸和>2纵横比的图案化材料层的基材通过光刻法提供。
10.根据权利要求9的方法,其特征在于所述光刻法包括以下步骤:
(i)提供具有浸渍光刻胶层、远紫外(EUV)光刻胶层或电子束(eBeam)光刻胶层的基材;
(ii)通过掩模在存在或不存在浸液下使光刻胶层暴露于光化辐射;
(iii)将暴光后的光刻胶层用显影剂溶液显影以获得行间距尺寸为32nm及更小和纵横比>2的图案;
(iv)将化学冲洗溶液施用于显影的图案化光刻胶层上;和
(v)在施用化学冲洗溶液之后干燥半导体基材;
其中浸液、显影剂溶液和化学冲洗溶液中的至少一种为无氟含水溶液S。
11.根据权利要求1-10中任一项的方法,其特征在于所述方法用于防止图案皱缩、降低线边缘粗糙、防止和除去水印瑕疵以及通过除去颗粒减少瑕疵。
12.根据权利要求1-11中任一项的方法,其特征在于集成电路装置包含具有大规模集成(LSI)、极大规模集成(VLSI)或超大规模集成(ULSI)的集成电路。
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