[发明专利]真空沉积装置

权利要求书

1.一种真空沉积装置，其在真空室中包括：

多个蒸发源；

被沉积体；

包围被沉积体和所述多个蒸发源之间的空间的筒状体；以及

膜厚度计，

其中

从所述多个蒸发源蒸发的沉积材料穿过所述筒状体，到达所述被沉积体的表面，并且沉积在所述表面上，

在膜厚度计与所述多个蒸发源中的至少一个之间布置有导管，所述导管将从所述蒸发源蒸发的所述沉积材料引导至所述膜厚度计，并且

所述导管在所述蒸发源一侧上的开口表面布置在与所述蒸发源开口表面大致相同的水平面上或者所述蒸发源的内部。

2.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中

所述导管延伸至所述蒸发源的内部，并且所述导管的一部分的长度是所述蒸发源开口表面面积的平方根的两倍或更多倍，所述一部分存在于所述蒸发源的内部。

3.如权利要求1或2所述的真空沉积装置，其中

所述多个蒸发源中的至少一个包括盖体，所述盖体布置在与所述蒸发源的开口表面大致相同的水平面上或者所述蒸发源的内部从而堵塞所述蒸发源的开口，

所述盖体包括：

沉积孔，其用于将从具有所述盖体的蒸发源蒸发的沉积材料引导至所述筒状体中；以及

膜厚测量孔，其用于将从具有所述盖体的蒸发源蒸发的沉积材料引导至所述膜厚度计，并且

在所述膜厚度计与所述膜厚测量孔之间布置有所述导管。

4.如权利要求3所述的真空沉积装置，其进一步在所述盖体上包括开口面积控制装置，所述开口面积控制装置允许调节所述沉积孔的开口面积。

5.如权利要求3或4所述的真空沉积装置，其进一步在所述盖体上包括开口面积控制装置，所述开口面积控制装置允许调节所述膜厚测量孔的开口面积。

6.如权利要求3-5中任意一项所述的真空沉积装置，其进一步包括：

在所述盖体和所述导管中的至少一个中的加热机构；以及

用于控制所述加热机构的调温机构。