[发明专利]导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于形成有机EL元件的反射电极膜或触控面板的配线膜等导电性膜的银合金溅射靶及其制造方法。更详细而言，涉及一种大型的银合金溅射靶。

背景技术

有机EL元件为使用如下原理的发光元件且近年来作为显示设备用发光元件受到广泛关注，所述原理即在形成于有机EL发光层两侧的阳极与阴极之间施加电压，分别从阳极和阴极将空穴和电子注入于有机EL膜，并且当空穴和电子在有机EL发光层结合时发光。该有机EL元件的驱动方式中存在无源矩阵方式和有源矩阵方式。该有源矩阵方式是一种能够通过在1个像素上设置1个以上薄膜晶体管来进行高速转换，因此有利于高对比度、高清晰度且为能够发挥有机EL元件特征的驱动方式。

并且，在光的提取方式中存在从透明基板侧提取光的底部发光方式和从基板的相反侧提取光的顶部发光方式，且开口率较高的顶部发光方式有利于高亮度。

图2中示出将反射电极作为阳极的顶部发光结构的层结构的例子。在此，为了更有效地反射由有机EL膜发出的光，反射电极膜（图2中记载为“反射阳极膜”）优选为高反射率且耐蚀性较高。并且，作为电极，还优选低电阻电极。作为这种材料，已知有Ag合金及Al合金，但为了得到更高亮度的有机EL元件，从可见光反射率较高的方面看Ag合金比较优异。在此，在形成有机EL元件的反射电极膜时采用溅射法且使用银合金溅射靶（专利文献1）。

并且，除有机EL元件用反射电极膜之外，在触控面板的引出配线等导电性膜中也对Ag合金膜进行了研究。作为这种配线膜，若例如使用纯Ag，则产生迁移而容易发生短路故障，因此对Ag合金膜的采用进行了研究。

专利文献1：国际公开第2002/077317号

然而，上述以往的技术中也留有以下课题。

即，随着有机EL元件制造时的玻璃基板的大型化，在反射电极膜的形成中使用的银合金靶也使用大型靶。在此，当向大型靶投入较大的功率进行溅射时，产生根据靶的异常放电而产生的被称为“喷溅”的现象，熔融的微粒子附着于基板上而使配线或电极间短路，由此，存在有机EL元件的成品率下降的问题。顶部发光方式的有机EL元件的反射电极膜中，为了成为有机EL发光层的基底层而被要求更高的平坦度且需要进一步抑制喷溅。并且，作为有机EL元件的反射电极膜，要求较高的反射率，并且作为有机EL元件的反射电极膜及触控面板的配线膜等的导电性膜，要求良好的膜的耐蚀性及耐热性和较低的电阻。

发明内容

本发明是鉴于前述课题而完成的，其目的在于提供一种随着靶的大型化，即使向靶投入大功率也能够抑制喷溅，并且能够形成耐蚀性及耐热性优异、且低电阻的膜的导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法。

本发明者等发现，根据特定的制造方法，通过将导电性膜形成用银合金溅射靶的晶粒的平均粒径设为120～400μm，由此即使投入大功率也能够抑制喷溅。并且，发现通过对Ag添加适量的Ga或Sn能够提高膜的耐蚀性及耐热性。

并且，本发明人等发现通过对Ag添加适量的In及Ga或Sn，且将晶粒的平均粒径设为120～250μm，由此即使投入大功率也能够抑制喷溅。

由此，本发明是由上述见解而获得的，且为了解决所述课题而采用了以下结构。第1发明所涉及的导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，由具有如下成分组成的银合金构成，即含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种，且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，所述银合金的晶粒的平均粒径为120～400μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。

该导电性膜形成用银合金溅射靶中，由具有如下成分组成的银合金构成，即含有上述含量范围的Ga、Sn中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，该银合金晶粒的平均粒径为120～400μm，且晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下，因此即使在溅射时投入大功率，也能够抑制异常放电且能够抑制喷溅的产生。并且，通过使用该导电性膜形成用银合金溅射靶进行溅射，能够获得具有良好的耐蚀性及耐热性、且更低电阻的导电性膜。