[发明专利]太阳能电池和太阳能电池组件无效
申请号: | 201280013774.7 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN103430318A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 西脇毅;平茂治;吉岭幸弘 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池和太阳能电池组件。
背景技术
太阳能电池组件具备太阳能电池。太阳能电池具备光电转换部、和配置在光电转换部上的n侧电极和p侧电极。太阳能电池配置在正面保护材料和背面保护材料之间。在正面保护材料和背面保护材料之间填充有填充材料层。太阳能电池被该填充材料层密封。
在这种太阳能电池组件中,例如如专利文献1记载的那样进行了用于提高耐湿性的各种讨论。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-235603号公报
发明内容
发明要解决的课题
近年来,要求进一步提高太阳能电池组件的耐湿性的期望在进一步提高。
本发明是鉴于这点而完成的,其目的在于提供一种耐湿性被改善了的太阳能电池和太阳能电池组件。
用于解决课题的技术方案
本发明的太阳能电池具备光电转换部、n侧电极和p侧电极。光电转换部具备n型表面和p型表面。n侧电极与n型表面电连接。p侧电极与p型表面与电连接。n侧电极和p侧电极各自中的Na的含有量为20ppm以下。
本发明的太阳能电池组件具备第一保护部件、第二保护部件、填充材料层和太阳能电池。填充材料层填充在第一保护部件和第二保护部件之间。太阳能电池配置在填充材料层内。太阳能电池具备光电转换部、n侧电极和p侧电极。光电转换部具备n型表面和p型表面。n侧电极与n型表面电连接。p侧电极与p型表面电连接。n侧电极和p侧电极各自中的Na的含有量为20ppm以下。
发明效果
根据本发明,能够提供一种耐湿性被改善了的太阳能电池和太阳能电池组件。
附图说明
图1是实施本发明的一个实施方式的太阳能电池组件的概略图的截面图。
图2是实施本发明的一个实施方式的太阳能电池的第一主面的概略图的平面图。
图3是实施本发明的一个实施方式的太阳能电池的第二主面的概略图的透视平面图。
图4是变形例中的太阳能电池的背面的概略图的透视平面图。
图5是表示实施例和比较例的太阳能电池的开路电压(Voc)的曲线图。
图6是表示实施例和比较例的太阳能电池的曲线要素(F.F.)的曲线图。
具体实施方式
以下,对实施本发明的优选的方式的一个例子进行说明。其中,以下的实施方式仅仅为例示。本发明不限于以下的实施方式。
另外,在实施方式等中参照的各图中,实施上具有相同功能的部件用相同的附图标记进行参照。另外,在实施方式等中参照的各图是示意性地记载的图,在图面中所描绘的物体的尺寸的比率等,有时与现实的物体的尺寸的比率等不同。在图相互之间,有时物体的尺寸比率等也不同。具体的物体的尺寸比率等应参照以下的说明进行判断。
图1是本实施方式的太阳能电池组件的概略图的截面图。
太阳能电池组件1具备至少一个太阳能电池串(string)2。太阳能电池串2具有多个太阳能电池10。太阳能电池串2中,多个太阳能电池10沿x方向排列。多个太阳能电池10通过配线件11相互电连接。
在太阳能电池串2的受光面侧配置有透光性部件15。另一方面,在太阳能电池串2的背面侧配置有耐候性部件14。透光性部件15和耐候性部件14之间填充有填充材料层13。多个太阳能电池10被该填充材料层13密封。另外,在耐候性部件14的表面上设置有用于将太阳能电池10的发电电力取出至外部的端子盒。
透光性部件15由具有透光性的玻璃板、塑料板构成。耐候性部件14由不包含金属膜的树脂片构成。由此,耐候性部件14的水蒸气透过率(Water Vapor Transmission Rate:WVTR)为0.01g/m2·day以上。此外,构成耐候性部件14的树脂片例如能够构成为包含由聚酯类树脂制作而成的树脂片、由PET或氟类树脂制作而成的PVF等的树脂片。
此外,本实施方式中“水蒸气透过率”是在40℃、90%RH中每一天的、每单位面积的透过水分量。水蒸气透过率能够利用膜康(MOCON)法进行测定。
填充材料层13的构成材料不特别限定。填充材料层13例如能够含有选自乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚乙烯、聚丙烯等的聚烯烃类树脂的至少树脂。
图2是本实施方式中的太阳能电池的第一主面的概略图的平面图。图3是本实施方式中的太阳能电池的第二主面的概略图的透视平面图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社,未经三洋电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280013774.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种负离子电脑辐射消除仪
- 下一篇:电子组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的