[发明专利]极紫外线曝光用掩膜的修正方法及极紫外线曝光用掩膜有效
| 申请号： | 201280014146.0 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103430283A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 马修·约瑟夫·拉曼提亚 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/24;G03F1/72 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 朴海今;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外线 曝光 用掩膜 修正 方法 | ||
1.一种极紫外线曝光用掩膜的修正方法，
所述极紫外线曝光用掩膜具有：
Mo/Si多层膜，其包括层叠在基板上的钼层及硅层，
保护膜，其形成在所述Mo/Si多层膜上，
吸收膜，其形成在所述保护膜上；
所述修正方法的特征在于，
确定在从所述吸收膜露出的所述保护膜的露出区域中的所述Mo/Si多层膜的缺陷位置，
对于在俯视所述极紫外线曝光用掩膜时覆盖所述缺陷位置的范围，照射直径被缩小到极紫外线曝光光线的波长以下的光束，从而在所述极紫外线曝光用掩膜的上表面形成最大宽度在所述波长以下的多个孔。
2.如权利要求1所述的极紫外线曝光用掩膜的修正方法，其特征在于，
在俯视所述极紫外线曝光用掩膜的情况下，以孔间间隔小于所述波长的两倍的规定间隔排列成栅格状的方式形成所述孔。
3.如权利要求1所述的极紫外线曝光用掩膜的修正方法，其特征在于，
以使所述Mo/Si多层膜的所述硅层露出在所述孔的底面的方式形成所述孔。
4.如权利要求1～3中任一项所述的极紫外线曝光用掩膜的修正方法，其特征在于，
一并确定在所述保护膜的露出区域中的所述Mo/Si多层膜的缺陷位置和所述缺陷的形状。
5.如权利要求4所述的极紫外线曝光用掩膜的修正方法，其特征在于，
根据确定出的所述缺陷位置及所述缺陷的形状，来决定覆盖所述缺陷位置的范围、所述孔的俯视时的形状、最大宽度及间隔。
6.一种极紫外线曝光用掩膜，
具有：
Mo/Si多层膜，其包括层叠在基板上的钼层及硅层，
保护膜，其形成在所述Mo/Si多层膜上，
吸收膜，其形成在所述保护膜上；
所述极紫外线曝光用掩膜的特征在于，
在从所述吸收膜露出的所述保护膜的露出区域具有反射率增加部，所述反射率增加部形成有最大宽度在极紫外线曝光光线的波长以下的多个孔。
7.如权利要求6所述的极紫外线曝光用掩膜，其特征在于，
在所述反射率增加部，多个所述孔以所述孔的间隔小于所述波长的两倍的规定间隔排列成栅格状。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
