[发明专利]硅量子点的光活性层及其制作方法

权利要求书

1.一种光活性层，其通过交替堆叠硅量子点层和导电多晶硅层形成，在所述硅量子点层中多个活性掺杂的硅量子点被封闭在硅化合物的介质中，所述导电多晶硅层由与所述硅量子点的导电型杂质相同的导电型杂质掺杂。

2.根据权利要求1所述的光活性层，其中所述硅量子点层具有70nm或更小的厚度。

3.根据权利要求1所述的光活性层，其中所述导电多晶硅层具有5nm至10nm的厚度。

4.根据权利要求1所述的光活性层，其中所述介质是氮化硅、氧化硅或其混合物。

5.一种太阳能电池，其包含：

根据权利要求1至4中任一项所述的光活性层；

硅衬底，其设置在所述光活性层的下部上并且包含与在所述光活性层中包含的所述导电型杂质不同类型的掺杂元素；和

形成在所述光活性层的上部上的上电极和形成在所述硅衬底的下部上的下电极。

6.一种发光二极管(LED)，其包含：

根据权利要求1至4中任一项所述的光活性层；

硅层，其设置在所述光活性层的下部上并且包含与在所述光活性层中包含的所述导电型杂质不同类型的掺杂元素；和

形成在所述光活性层的上部上的上电极和形成在包含所述不同类型掺杂元素的所述硅层的下部上的下电极。

7.一种制造具有交替堆叠的硅量子点层和导电层的光活性层的方法，其包括：

形成硅量子点层的步骤，在所述硅量子点层中包含第一导电型杂质的所述硅量子点形成在硅化合物的介质中；和

在所述硅量子点层之间形成导电层的步骤，所述导电层是多晶硅层，其包含所述第一导电型杂质，

其中交替进行所述硅量子点层形成步骤和所述导电层形成步骤，以在包含第二导电型杂质的硅衬底的上部上制造所述光活性层，所述第二导电型杂质是与所述第一导电型杂质不同类型的杂质。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中所述硅量子点层具有70nm或更小的厚度。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其中所述导电层具有5nm至10nm的厚度。