[发明专利]包含由复合材料制成的衬底的复合构件

权利要求书

1.一种复合构件(la～lj)，包含由具有与镁和镁合金中的任一种材料结合的SiC的复合材料制成的衬底，并满足不小于0.01×10^-3且不大于10×10^-3的翘曲度，

所述翘曲度是指lmax对Dmax之比(lmax/Dmax)，其中lmax是沿所述复合构件的最长边测得的所述复合构件的一个表面的表面位移的最大值与最小值之差，且Dmax是所述最长边的长度。

2.如权利要求1所述的复合构件，还包含在所述衬底的至少一部分上的金属涂层(3、4)。

3.如权利要求2所述的复合构件，其中所述金属涂层具有不小于0.1mm的最大厚度。

4.如权利要求1所述的复合构件，还包含设置在所述衬底的一个表面上并具有最大厚度t₁max的第一金属涂层(3)和设置在所述衬底的另一个表面上并具有最大厚度t₂max的第二金属涂层(4)，

其中所述最大厚度之差|t₁max-t₂max|不小于0.02mm。

5.如权利要求1所述的复合构件，还包含在所述衬底的一个表面上的金属涂层，

其中所述金属涂层具有平坦的表面，具有在其厚度方向上具有弯曲形状的截面，且在厚度方向上的截面中最大厚度与最小厚度之差不小于0.03mm。

6.如权利要求1所述的复合构件，其中所述衬底的SiC含量不小于50体积%且不大于90体积%。

7.如权利要求1所述的复合构件，其中所述衬底的热膨胀系数不小于4ppm/K且不大于15ppm/K，且热导率不小于180W/m·K。

8.一种散热构件(1)，所述散热构件(1)由权利要求1的复合构件构成。

9.一种半导体装置(900)，包含权利要求8的散热构件和安装在所述散热构件上的半导体元件(94)。