[发明专利]重置相变存储器和开关(PCMS)存储器单元的方法和装置

权利要求书

1.一种方法，包括：

向存储器单元逐步增大编程电流，直到由递增的编程电流产生的阈值电压大于或等于参考的最小阈值电压；

当所述阈值电压大于或等于所述参考的最小阈值电压时，指定所述编程电流为初始电流；

基于所述初始电流的值，从查找中确定最终设置编程电流值；以及

用最终设置编程电流重置所述存储器单元。

2.如权利要求1所述的方法，其中，逐步增大编程电流包括：

向存储器单元施加编程电流；

测量由所述存储器单元产生的阈值电压；

比较所测量的阈值电压与参考的最小阈值电压；以及

逐步增大编程电流，并向所述存储器单元重复施加所述编程电流，测量所产生的阈值电压，并比较所产生的阈值电压，直到所产生的阈值电压大于或等于参考的最小阈值电压。

3.如权利要求1所述的方法，其中，向存储器单元逐步增大编程电流包括：向相变存储器和开关(PCMS)存储器单元逐步增大编程电流，直到由递增的编程电流产生的阈值电压大于或等于参考的最小阈值电压。

4.如权利要求1所述的方法，其中，从查找表确定最终设置编程电流值包括从查找表中确定最终设置编程电流，所述查找表表示预测的编程电流与初始电流的相互关系，所述预测的编程电流用于实质上产生最大阈值电压，所述初始电流实质上产生最小阈值电压，其中，从来自存储器单元的实际数据生成所述查找表。

5.如权利要求1所述的方法，其中，从查找表确定最终设置编程电流值包括从表示预测的编程电流与初始电流的相互关系的查找表中确定最终设置编程电流，所述预测的编程电流用于实质上产生最大阈值电压，所述初始电流实质上产生最小阈值电压，其中，根据方程式生成所述查找表，所述方程式包括：

V_t=V_tmin+(E_th·L·[1-((J_cr·S)²／I²)])

其中：V_t是阈值电压

V_tmin是参考的最小阈值电压

E_th是基于所使用的对器件结构具有特定灵敏度的相变材料的参数

L是器件厚度

J_cr是基于所使用的对所述器件结构具有特定灵敏度的相变材料的参数

S是器件面积

I是电流。

6.如权利要求3所述的方法，其中E_th大约是3.2e5V／cm。

7.如权利要求3所述的方法，其中J_cr大约是1.2e7A／cm²。

8.一种非易失性存储器，包括：

相变存储器和开关(PCMS)存储器单元；以及

能够访问以重置所述PCMS存储器单元的存储的查找表。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器，其中，所述存储的查找表表示预测的编程电流与初始电流的相互关系，所述预测的编程电流用于实质上产生最大阈值电压，所述初始电流实质上产生最小阈值电压，并且其中，根据来自PCMS存储器单元的实际数据生成所述查找表。

10.如权利要求8所述的非易失性存储器，其中，所述存储的查找表表示预测的编程电流与初始电流的相互关系，所述预测的编程电流用于实质上产生最大阈值电压，所述初始电流实质上产生最小阈值电压，并且其中，根据方程式生成所述查找表，所述方程式包括：

V_t=V_tmin+(E_th·L·[1-((J_cr·S)²／I²)])

其中：V_t是阈值电压

V_tmin是参考的最小阈值电压

E_th是基于所使用的对器件结构具有特定灵敏度的相变材料的参数

L是器件厚度

J_cr是基于所使用的对所述器件结构具有特定灵敏度的相变材料的参数

S是器件面积

I是电流。