[发明专利]制备有机晶体管的方法、有极晶体管、制备半导体器件的方法、半导体器件和电子装置

权利要求书

1.制备有机晶体管的方法，所述方法包括：

通过在布置在基底上的栅极上施涂溶液统一形成栅绝缘膜和有机半导体膜，以及

在所述有机半导体膜上形成源极和漏极，

所述溶液包含聚合物和下述化合物中的至少一种化合物，所述化合物为：通式1所表示的化合物，通式2所表示的化合物，通式3所表示的化合物，通式4所表示的化合物，具有通式4所表示的结构的化合物，其中R为除烷基外的取代基，通式5所表示的化合物，通式6所表示的化合物，具有通式5或6所表示的结构的化合物，其中R为除烷基外的取代基，和通式7所表示的化合物，所述栅绝缘膜含有所述聚合物，所述有机半导体膜形成在栅绝缘膜上并含有所述至少一种化合物，

[化学式1]

其中R为线性或支链烷基，

[化学式2]

其中R为线性或支链烷基，

[化学式3]

其中R为线性或支链烷基，

[化学式4]

其中R为烷基，R的个数为2～5，

[化学式5]

其中R为烷基，R的个数为1～5，

[化学式6]

其中R为烷基，R的个数为1～5，

[化学式7]

其中A1和A2为式8所表示的结构，

[化学式8]

其中R为烷基或其它取代基，R的个数为1～5。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种化合物是由下述通式9～17所表示的化合物：

[化学式9]

[化学式10]

[化学式11]

[化学式12]

[化学式13]

[化学式14]

[化学式15]

[化学式16]

[化学式17]

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述溶液的溶剂是二甲苯、对二甲苯、甲苯、1,3,5-三甲基苯、1,2,3,4-四氢化萘、苯甲醚、苯、1,2-二氯苯、邻二氯苯、环己烷和乙基环己烷中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅绝缘膜和有机半导体膜是通过在所述栅极上形成构成栅绝缘膜的一部分的有机绝缘膜，并在所述有机绝缘膜上施涂所述溶液来形成的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物为聚(α-甲基苯乙烯)和环烯烃共聚物中的至少一种。

6.有机晶体管，其包括：

通过在布置在基底上的栅极上施涂溶液统一形成的栅绝缘膜和有机半导体膜，以及

在所述有机半导体膜上布置的源极和漏极，

所述溶液包含聚合物和下述化合物中的至少一种化合物，所述化合物为：通式1所表示的化合物，通式2所表示的化合物，通式3所表示的化合物，通式4所表示的化合物，具有通式4所表示的结构的化合物，其中R为除烷基外的取代基，通式5所表示的化合物，通式6所表示的化合物，具有通式5或6所示结构的化合物，其中R为除了烷基以外的取代基，和通式7所表示的化合物，所述栅绝缘膜含有所述聚合物，所述有机半导体膜形成在栅绝缘膜上并含有所述至少一种化合物，

[化学式18]

其中R为线性或支链烷基，

[化学式19]

其中R为线性或支链烷基，

[化学式20]

其中R为线性或支链烷基，

[化学式21]

其中R为烷基，R的个数为2～5，

[化学式22]

其中R为烷基，R的个数为1～5，

[化学式23]

其中R为烷基，R的个数为1～5，

[化学式24]

其中A1和A2为式8所表示的结构，

[化学式25]

其中R为烷基或其它取代基，R的个数为1～5。