[发明专利]铜配线的形成方法、配线基板的制造方法以及配线基板无效
| 申请号： | 201280014684.X | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103444273A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 又木裕司 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/10 | 分类号： | H05K3/10;H01B5/14;H01B13/00;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/532;H05K3/12;H05K3/22 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜配线 形成 方法 配线基板 制造 以及 | ||
1.一种铜配线的形成方法，其特征在于包括：
配线图案形成步骤，将分散有具有100nm以上的平均粒径的铜粒子的悬浮液赋予至基板上，利用所述悬浮液在所述基板上形成配线图案；
干燥步骤，在所述配线图案形成步骤后，使所述配线图案中的所述铜粒子在小于150℃的温度下进行干燥；
加压步骤，在所述干燥步骤后，对所述配线图案中的所述铜粒子施加压力；
加热步骤，在所述加压步骤后，对所述配线图案中的所述铜粒子施加热；以及
还原处理步骤，在所述加热步骤后，对所述配线图案中的所述铜粒子进行还原处理。
2.根据权利要求1所述的铜配线的形成方法，其特征在于：所述铜粒子的平均粒径为100nm以上、200nm以下，
所述加热步骤中的加热温度为150℃以上。
3.根据权利要求1或2所述的铜配线的形成方法，其特征在于：所述加热步骤中的加热温度为200℃以上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的铜配线的形成方法，其特征在于：在所述配线图案形成步骤前更包括悬浮液制备步骤，在非氧化气体环境下制备所述悬浮液。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的铜配线的形成方法，其特征在于：所述配线图案形成步骤包括悬浮液喷出步骤，利用喷墨方法喷出所述悬浮液的液滴而赋予至所述基板上。
6.一种配线基板的制造方法，其特征在于包括：根据权利要求1至5中任一项所述的铜配线的形成方法。
7.一种配线基板，其特征在于包括：利用根据权利要求1至5中任一项所述的铜配线的形成方法来形成的铜配线。
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