[发明专利]对称中央分接头的电感器结构有效

专利信息
申请号: 201280014752.2 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN103518260A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 昭颖·D·吴;姜学文;帕瑞格·尤帕德海亚;景晶;吴淑贤 申请(专利权)人: 吉林克斯公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 对称 中央 接头 电感器 结构
【权利要求书】:

1.一种在半导体集成电路(IC)内实施的电感器结构,所述电感器结构包含:

导电材料的线圈,所述线圈包含位于所述线圈的长度的中点处的中央终端;

其中所述线圈是相对于平分所述中央终端的中线对称的;

其中所述线圈包含第一差分终端和第二差分终端,所述第一差分终端和所述第二差分终端各者位于所述线圈的一端处;以及

耦合到所述线圈的导电材料的返回线路,其中所述返回线路定位在所述中线上。

2.根据权利要求1所述的电感器结构,其进一步包含绝缘环,所述绝缘环围绕所述线圈并且按近似为恒定的预定距离与所述线圈隔开。

3.根据权利要求2所述的电感器结构,其中所述绝缘环包含以预定距离隔开从而形成开口的第一端和第二端。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的电感器结构,其中,当处于其中实施所述电感器结构的一个电路中时,所述绝缘环在其之长度的中点处耦合到虚拟AC接地。

5.根据权利要求3或权利要求4所述的电感器结构,其中所述绝缘环的所述第一端和所述第二端与所述中线是等距的。

6.根据权利要求2到5中任一权利要求所述的电感器结构,其中所述绝缘环在所述中央终端相对的一个位置处耦合到所述返回线路。

7.根据权利要求2到6中任一权利要求所述的电感器结构,其中:

电源电压互连和接地互连并不位于所述绝缘环内;并且

电源电压互连和接地互连不会在所述绝缘环的预定距离内穿过所述中线。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的电感器结构,其中:

所述第一差分终端和所述第二差分终端各者位于所述线圈中与所述中央终端相对的一端;

所述返回线路位于不同于所述线圈的导电层中;以及

所述返回线路的长度约等于所述中线处的所述线圈的直径。

9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的电感器结构,其还包含:

图案化接地屏蔽,所述图案化接地屏蔽包含在IC过程层内所实施的多个指状物,所述IC过程层位于所述导电材料的线圈与所述IC的基底之间。

10.根据权利要求9所述的电感器结构,其中:

所述线圈由多个线性区段形成;

对于所述线圈的所述多个线性区段中的每一者,位于该线性区段下方的所述多个指状物基本上彼此平行并且彼此以预定距离相隔;并且

每个指状物经定位基本上垂直于所述线圈的所述线性区段,所述每个指状物都位于所述线性区段下方。

11.根据权利要求9到10中任一权利要求所述的电感器结构,其中所述绝缘环包含低导电率材料并且耦合到每个指状物的一端。

12.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的电感器结构,其还包含:

包含高导电材料的绝缘壁,所述绝缘壁经形成以包围所述线圈和所述图案化接地屏蔽,

其中所述绝缘壁耦合到每个指状物的一端。

13.根据权利要求12所述的电感器结构,其中所述绝缘壁耦合到所述IC的所述基底上。

14.根据权利要求12或权利要求13所述的电感器结构,其中:

所述绝缘壁包含多个垂直堆叠式导电层;

每对邻近的垂直堆叠式导电层经由一个通孔进行耦合;

用于形成所述绝缘壁的最高导电层使用一个过程层进行实施,所述过程层距所述IC的所述基底至少与用于形成所述线圈的过程层距所述基底一样远;以及

用于形成所述绝缘壁的最低导电层使用一个过程层进行实施,所述过程层距所述IC的所述基底至少与用于形成所述多个指状物的过程层距所述基底一样近。

15.一种集成电路(IC),其包含权利要求1到14中任一权利要求所述的电感器结构。

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