[发明专利]具多个导电介入层的N型氮化镓层无效
申请号: | 201280014827.7 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN103460410A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 陈振;付羿 | 申请(专利权)人: | 东芝技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/12 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;韩宏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具多个 导电 介入 氮化 | ||
1.一种发光二极管(LED)装置的制造方法,包括:
(a)在硅基板之上形成n型层,其中所述n型层包括多个周期,所述n型层的每一周期包括氮化镓(GaN)子层以及掺杂硅的氮化镓铝(AlGaN:Si)介入子层;
(b)在所述n型层之上形成有源层,其中所述有源层包含一定量的铟;以及
(c)在所述有源层之上形成p型层,使得所述硅基板、所述n型层、所述有源层以及所述p型层形成第一结构。
2.根据权利要求1所述的制造方法,还包括:
(d)将导电载体接合至所述第一结构,从而形成第二结构;以及
(e)从所述第二结构去除所述硅基板,从而形成第三结构。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其中所述n型层的厚度是至少两千纳米。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其中每一GaN子层的厚度小于一千纳米,并且其中每一AlGaN:Si介入子层的厚度小于二十五纳米。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其中所述AlGaN:Si介入子层是导电的,并且其中所述AlGaN:Si介入子层的硅浓度大于1x1018原子/cm3。
6.根据权利要求1所述的制造方法,还包括:
(d)在(a)之前,在所述硅基板上形成缓冲层,并且随后在所述缓冲层上形成样板层,其中所述n型层直接形成在所述样板层上。
7.根据权利要求2所述的制造方法,还包括:
在(e)之后,将所述n型层的表面粗糙化。
8.根据权利要求2所述的制造方法,其中(d)的所述接合包括使用共熔接合金属层来将载体晶圆结构接合至所述第一结构,并且其中所述导电载体是所述载体晶圆结构的一部分。
9.一种用于发出非单色光的发光二极管(LED)装置,所述LED装置包括:
包括多个周期的n型层,其中所述n型层的每一周期包括氮化镓(GaN)子层以及掺杂硅的氮化镓铝(AlGaN:Si)介入子层;
p型层;
有源层,设置于所述n型层与所述p型层之间,其中所述有源层包含一定量的铟;
导电载体;
第一电极;以及
第二电极,适于传导电流,其中所述电流从所述第二电极流出,通过所述导电载体、所述p型层、所述有源层、所述n型层并且到达所述第一电极,从而使所述非单色光发出。
10.根据权利要求9所述的LED装置,其中所述n型层的厚度是至少两千纳米。
11.根据权利要求9所述的LED装置,其中每一GaN子层的厚度小于一千纳米,并且其中每一AlGaN:Si介入子层的厚度小于二十五纳米。
12.根据权利要求9所述的LED装置,其中所述AlGaN:Si介入子层是导电的,并且其中所述AlGaN:Si介入子层的硅浓度大于1x1018原子/cm3。
13.根据权利要求9所述的LED装置,其中所述n型层具有经粗糙化的表面。
14.根据权利要求9所述的LED装置,还包括:
设置于所述导电载体与所述p型层之间的共熔接合金属层。
15.一种发光二极管(LED)装置,包括:
包括多个周期的n型层,其中所述n型层的每一周期包括氮化镓(GaN)子层以及掺杂硅的氮化镓铝(AlGaN:Si)介入子层,其中每一GaN子层的厚度基本大于一百纳米并且小于一千纳米,其中每一AlGaN:Si介入子层的厚度小于二十五纳米,其中每一AlGaN:Si介入子层的硅浓度大于1x1018原子/cm3,并且其中所述n型层的厚度是至少二千纳米;
p型层;以及
有源层,设置于所述n型层与所述p型层之间,其中所述p型层与所述n型层之间的电流使所述LED装置发光。
16.根据权利要求15所述的LED装置,还包括:
载体;以及
设置于所述p型层与所述载体之间的一层接合金属。
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