[发明专利]光电转换装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电转换装置及其制造方法。

背景技术

专利文献1中提出有在太阳能电池的背面侧形成有p型半导体区域以及p侧电极、和n型半导体区域以及n侧电极的所谓背面接合型的太阳能电池。采用该背面接合型的太阳能电池，在受光面侧不存在电极，因此，能够提高太阳光的光接收效率，提高发电效率。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－200267号公报

发明内容

发明想要解决的问题

但是，关于背面接合型的太阳能电池，从光电转换效率的提高等的观点出发，还有改良的余地。应改良的点能够列举几个，但提高p型半导体区域以及p侧电极、和n型半导体区域以及n侧电极之间的绝缘性，降低漏泄电流特别重要。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够降低漏泄电流的光电转换装置及其制造方法。

用于解决课题的技术方案

本发明的光电转换装置的特征在于，包括：结晶类半导体基板；层叠在结晶类半导体基板的一个面上的第一非晶质半导体层；第二非晶质半导体层，其包括以层叠在所述结晶类半导体基板的一个面上的未层叠第一非晶质半导体层的区域，并且具有与层叠有第一非晶质半导体层的区域重叠的重叠区域的方式层叠的、与第一非晶质半导体层相反的导电型的层；第一电极，其与第一非晶质半导体层电连接，遍及在第二非晶质半导体层的重叠区域上形成；和第二电极，其以与第一电极离开且与第二非晶质半导体层电连接的方式形成，第二非晶质半导体层在形成有第一电极的区域和形成有第二电极的区域之间，具有分离间隙或厚度比其它的区域薄的薄膜区域。

本发明的光电转换装置的制造方法，其特征在于，在结晶类半导体基板的一个面上层叠第一非晶质半导体层的工序；遍及结晶类半导体基板的一个面上的未层叠第一非晶质半导体层的区域、和层叠有第一非晶质半导体层的区域的一部分，层叠包含与第一非晶质半导体层相反的导电型的层的第二非晶质半导体层的工序；遍及第一非晶质半导体层上、和重叠在第一非晶质半导体层上的第二非晶质半导体层的重叠区域上形成第一电极，并且在与上述第一电极离开的上述第二非晶质半导体层上形成第二电极的电极形成工序；和将存在于第一电极和第二电极之间的第二非晶质半导体层的至少一部分除去的除去工序。

发明效果

根据本发明的光电转换装置，能够降低漏泄电流并进一步提高光电转换效率。

附图说明

图1是从背面侧观察作为本发明的实施方式的光电转换装置的平面图。

图2是图1的A-A线截面图。

图3是图2的B部放大图。

图4表示在图1中省略n侧电极和p侧电极，IN非晶硅层和IP非晶硅层的平面形状图案的图。

图5是用于说明作为本发明的实施方式的光电转换装置的制造方法的截面图，是表示中间生成物（未形成分离间隙的光电转换部）的制造工序的图。

图6是用于说明作为本发明的实施方式的光电转换装置的制造方法的截面图，是表示中间生成物的制造工序的图。

图7是用于说明作为本发明的实施方式的光电转换装置的制造方法的截面图，是表示中间生成物的制造工序的图。

图8是用于说明作为本发明的实施方式的光电转换装置的制造方法的截面图，是表示中间生成物的制造工序的图。

图9是用于说明作为本发明的实施方式的光电转换装置的制造方法的截面图，是表示构成电极的第一、第二导电层的形成工序的图。

图10是用于说明作为本发明的实施方式的光电转换装置的制造方法的截面图，是表示构成电极的第一、第二导电层的形成工序的图。

图11是用于说明作为本发明的实施方式的光电转换装置的制造方法的截面图，是表示IP非晶硅层的蚀刻工序的图。

图12是用于说明作为本发明的实施方式的光电转换装置的制造方法的截面图，是表示构成电极的第三导电层的形成工序的图。

具体实施方式

以下，使用附图详细说明本发明的实施方式。以下的实施方式仅仅为例示。本发明不限于以下的实施方式。另外，在实施方式等中参照的各图面是示意性地记载的图，在图面中所描绘的物体的尺寸的比率等，有时与现实的物体的尺寸的比率等不同。具体的物体的尺寸比率等应参照以下的说明进行判断。

首先，先参照图1～图4详细说明光电转换装置10的构成。