[发明专利]使用多个量身定做的激光脉冲波形来激光处理工件的方法和系统

权利要求书

1.一种使用实时改变的多个不同时间脉冲剖面来激光划片工件的方法，所述工件包括在半导体基板上形成的一个或多个设备层，所述一个或多个设备层包括由一个或多个道隔开的多个相互隔开电子电路组件的模式，激光束可沿着所述一个或多个道来形成侧壁界定的切口，所述方法包括：

选择第一时间脉冲剖面形状和第二时间脉冲剖面形状；

使用单一激光源产生第一激光脉冲列和第二激光脉冲列，所述第一激光脉冲列包括根据所述第一时间脉冲剖面形状时间成形的激光脉冲的序列，所述第二激光脉冲列包括根据所述第二时间脉冲剖面形状时间成形的激光脉冲的序列；

在沿道首次平移所述激光束时，将所述第一激光脉冲列导向所述工件以沿所述道去除所述一个或多个设备层的至少第一部分；以及

在沿所述道第二次平移所述激光束时，将所述第二激光脉冲列导向所述工件以沿所述道切穿所述半导体晶圆。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一时间脉冲剖面形状包括椅子形状时间脉冲剖面。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一时间脉冲剖面形状包括在约12纳秒和约14纳秒之间的范围内的时间脉冲持续时间。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第二时间脉冲剖面形状选自包括高斯型时间脉冲剖面、方形时间脉冲剖面和三角形时间脉冲剖面的群。

5.如权利要求5所述的方法，其中所述第二时间脉冲剖面形状包括在约1纳秒和约3纳秒之间的范围内的时间脉冲持续时间。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述工件安装在芯片粘结薄膜（DAF）上，所述方法还包括：

选择第三时间脉冲剖面形状；

使用所述单一激光源产生第三激光脉冲列，所述第三激光脉冲列包括根据所述第三时间脉冲剖面形状时间成形的激光脉冲的序列；以及

在沿所述道第三次平移所述激光束时，将所述第三激光脉冲列导向所述工件来沿所述道切穿所述DAF。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第三时间脉冲剖面形状包括在约40纳秒和约400纳秒之间的范围内的时间脉冲持续时间，且其中所述第三时间脉冲剖面形状选自包括高斯型时间脉冲剖面和方形时间脉冲剖面的群。

8.如权利要求7所述的方法，所述方法还包括：

选择第四时间脉冲剖面形状；

使用所述单一激光源产生第四激光脉冲列，所述第四激光脉冲列包括根据所述第四时间脉冲剖面形状时间成形的激光脉冲的序列；以及

在沿所述道第四次平移所述激光束时，将所述第三激光脉冲列导向所述工件来沿所述道退火切口的侧壁以增大芯片断裂强度。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第四时间脉冲剖面形状包括在约50纳秒和约100纳秒之间的范围内的时间脉冲持续时间，且其中所述第四时间脉冲剖面形状选自包括高斯型时间脉冲剖面和方形时间脉冲剖面的群。

10.如权利要求1所述的方法，其还包括：

空间成形所述第一激光脉冲列和所述第二激光脉冲列中的至少一个的激光脉冲的序列。

11.如权利要求1所述的方法，其还包括：

改变所述第一激光脉冲列和所述第二激光脉冲列中至的少一个的激光脉冲的序列中第一激光脉冲相对于第二激光脉冲的峰值强度。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述第一激光脉冲列包括单一形状激光脉冲列，所述方法还包括：

选择第三时间脉冲剖面形状；

使用所述单一激光源产生第三激光脉冲列，所述第三激光脉冲列包括根据所述第三时间脉冲剖面形状时间成形的激光脉冲的序列；以及

在沿所述道第三次平移所述激光束时，所述第三次平移发生在所述首次平移和所述第二次平移之间，将所述第三激光脉冲列导向所述工件以沿所述道去除所述一个或多个设备层的至少第二部分。