[发明专利]具有凸缘或喇叭形端部的碳化硅管的应用有效
申请号: | 201280015070.3 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN103443027A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | B.韦纳;C.齐佩尔;G.施托赫尼奥尔;I.保利;N.施拉德贝克 | 申请(专利权)人: | 赢创德固赛有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 石克虎;林森 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 凸缘 喇叭 形端部 碳化硅 应用 | ||
本发明涉及碳化硅管在氯硅烷转化过程中的应用,该管具有一个凸缘或喇叭形(Boerdel)端部,并在另一端封闭。
本领域的技术人员已知的、不同类型的、全部或部分由碳化硅形成的、或其中以不同的方式结合碳化硅的陶瓷管,在本发明的范围内通称为“xSiC-管”。该xSiC-管可以以“长形的杯状成型体”的形式制成。
这样的xSiC管的气密性可以通过材料本身或通过在烧制时形成的覆盖层而得到。
在现有技术中,碳化硅管是早已知道的。在工艺技术中,例如,这种材料的管用于热交换器。管端是不锋利的并具有扁平的管截面。在xSiC-管过渡到金属或另一种材料的地方,使用弹性体密封元件实现气密性。
图1示意性地显示了按照现有技术在两种不同的布置中具有弹性密封件(E)的xSiC-管(S),该密封件例如可以以O形环的形式而制成。
因为弹性密封件的耐温度性限制在低于约250℃的范围,xSiC-材料的优点没有完全利用。
因此,本发明的目的在于,借助非弹性密封件实现密封设计,该设计利用了陶瓷反应管在高温下耐侵蚀性介质的的稳定性,特别是在氯硅烷转化的过程中。
该目的通过使所描述的xSiC-管具有凸缘或喇叭形而实现。
本发明的主题因此是xSiC-管在氯硅烷转化过程中的应用,该管以长形的、杯状的成型体形式而制成,其中该xSiC-管在一端具有凸缘或喇叭形,并在另一端封闭。
该应用的优点在于,不必再使用弹性密封件。代替其的是可以优选使用扁平密封件。
本发明下面进一步阐述。
根据本发明,在氯硅烷转化过程中应用xSiC-管的特点在于,该xSiC-管在一端具有凸缘或喇叭形,并在另一端封闭。
根据本发明,所述xSiC-管因此可以在基本上更高的温度下使用,该温度高于按照现有技术的具有弹性密封件的陶瓷管所允许的温度,例如550℃或更高。同样,本发明可以在腐蚀性物质的反应过程中使用。优选地,本发明所使用的成型体保持的内过压为0.2-50bar、优选0.2-8bar。
图2和图3显示了在本发明应用中的xSiC-管的可能的构型。根据本发明,这些构型可以使用密封件,优选使用扁平密封件。特别优选使用设计有凸缘或喇叭形端部的、具有扁平密封件的成型体。这样可以在0.2-50bar的过压下使用,特别优选在约6bar的过压下使用。
附图标记表示:
F 扁平密封件
S、S1、S2 在具有凸缘或喇叭形的端部的成型件。
根据本发明使用这样的xSiC-管可以在900-1100℃,在有或没有催化剂存在下,优选在0.2-50bar的过压,特别优选在约6bar的过压下,实现氯硅烷的转化,优选氯硅烷的氢化,更优选将四氯硅烷借助氢气氢化成三氯硅烷和HCl。
图2显示了本发明所使用的、在其以凸缘形式所形成的端部上的xSiC-管。使用具有扁平密封件(F)的这种构型可以是有利的。
本发明的另一应用可以在于,在xSiC-管上在其以凸缘形式形成的端部使用扁平密封件(F),该扁平密封件由石墨、云母和/或其它耐高温的材料形成。该密封件的构造是本领域的技术人员已知的。
图3显示了成型体的形状,其中一个xSiC-管(S1)装配或者插入到另一xSiC-管(S2)中,其中S1和S2的端面在一个平面上。因此,优选得到的xSiC-管具有可移动的或不可移动的、特别优选不可移动的凸缘端部。使用具有扁平密封件(F)的这种构型可以是有利的。
xSiC构件设置的其它变型是可以的,以便得到凸缘和/或喇叭形构型。这些在本文中没有全部地加以描述。
在氯硅烷转化过程中,根据本发明的xSiC-管的应用在于用炉加热的、用于氯硅烷氢化的管式反应器。其中,反应区域不仅必须由长形的成型体本身构成,而且相互插入的管组合也是可以的,其中该管组合中的管在一个端部以凸缘或喇叭形的形式而制成。
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