[发明专利]双重结构透明导电膜及其制造方法无效
申请号: | 201280015087.9 | 申请日: | 2012-08-14 |
公开(公告)号: | CN103503156A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 赵俊植;朴相炫;尹载浩;朴柱炯;申基植;柳镇洙;尹庆勋 | 申请(专利权)人: | 韩国能源技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 龚建华 |
地址: | 韩国305-3*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 双重 结构 透明 导电 及其 制造 方法 | ||
1.一种双重结构透明导电膜,是一种作为太阳能电池的正面防反射膜或正面电极或背面反射膜使用的透明导电膜,其特征在于,包括:
透光层;
陷光层,一面接触上述透光层,另一面形成有表面绒面结构;
上述透光层的导电率A与上述陷光层的导电率a的关系为A>a,上述透光层的蚀刻性B与上述陷光层的蚀刻性b的关系为B<b。
2.根据权利要求1所述的双重结构透明导电膜,其特征在于,
上述陷光层中形成有表面绒面结构的面的表面粗糙度为50nm以上。
3.根据权利要求2所述的双重结构透明导电膜,其特征在于,
上述陷光层是在小于300℃的蒸镀温度蒸镀的ZnO系透明导电性薄膜。
4.根据权利要求3所述的双重结构透明导电膜,其特征在于,
上述透光层是在300℃以上的蒸镀温度蒸镀的ZnO系透明导电性薄膜。
5.根据权利要求3所述的双重结构透明导电膜,其特征在于,
上述透光层是ZnO系透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜。
6.一种双重结构透明导电膜的制造方法,制造作为太阳能电池的正面防反射膜或正面电极或背面反射膜使用的透明导电膜,包括下列步骤:
在基板形成透光层;
在上述透光层上形成陷光层;及
蚀刻上述陷光层的表面而形成表面绒面结构;
上述透光层的导电率A与上述陷光层的导电率a的关系为A>a,上述透光层的蚀刻性B与上述陷光层的蚀刻性b的关系为B<b。
7.根据权利要求6所述的双重结构透明导电膜的制造方法,其特征在于,
在形成上述陷光层的步骤中,把上述陷光层蒸镀成300nm以上的厚度。
8.根据权利要求6所述的双重结构透明导电膜的制造方法,其特征在于,
形成上述陷光层的步骤在小于300℃的蒸镀温度蒸镀ZnO系透明导电性薄膜而实现。
9.根据权利要求8所述的双重结构透明导电膜的制造方法,其特征在于,
形成上述透光层的步骤在300℃以上的蒸镀温度蒸镀ZnO系透明导电性薄膜而实现。
10.根据权利要求9所述的双重结构透明导电膜的制造方法,其特征在于,
从形成上述透光层的步骤到形成上述陷光层的步骤以降低蒸镀温度的方法连续实现。
11.根据权利要求8所述的双重结构透明导电膜的制造方法,其特征在于,
形成上述透光层的步骤蒸镀ZnO系透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜而实现。
12.根据权利要求6到11中任一项所述的双重结构透明导电膜的制造方法,其特征在于,
形成上述表面绒面结构的步骤由湿式蚀刻实现。
13.根据权利要求12所述的双重结构透明导电膜的制造方法,其特征在于,
上述湿式蚀刻利用0.1~10%浓度的HCl或H2C2O4之类的酸性溶液。
14.一种双重结构透明导电膜的制造方法,制造作为太阳能电池的正面防反射膜或正面电极或背面反射膜使用的透明导电膜,包括下列步骤:
在300℃以上的温度于基板蒸镀ZnO系透明导电性薄膜而形成透光层;及
在低于300℃的温度于上述透光层上蒸镀ZnO系透明导电性薄膜而形成陷光层;
形成上述透光层的步骤与形成上述陷光层的步骤由化学蒸镀方法实现而自己形成表面绒面结构。
15.根据权利要求14所述的双重结构透明导电膜的制造方法,其特征在于,
上述化学蒸镀方法是CVD法或Sol-Gel法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国能源技术研究院,未经韩国能源技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280015087.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的