[发明专利]半导体器件及其制造方法以及便携式电话机

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

（a）、半导体衬底；

（b）、在上述半导体衬底的第1区域上形成的半导体元件；

（c）、覆盖上述半导体元件的、在上述半导体衬底上形成的绝缘膜；

（d）、作为在上述绝缘膜上形成的膜的、热传导率比上述绝缘膜高的高热传导率膜；以及

（e）、在形成在上述半导体衬底的第2区域上的上述绝缘膜上隔着上述高热传导率膜形成的薄膜压电体波谐振器。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在上述高热传导率膜和上述薄膜压电体波谐振器之间形成热传导率比上述高热传导率膜低的低热传导率膜。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体衬底在上述第1区域与上述第2区域之间具有第3区域；

在形成在上述半导体衬底的上述第3区域上的上述绝缘膜的表面上形成凹凸形状。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在形成在上述半导体衬底的上述第1区域上的上述绝缘膜的表面上形成凹凸形状。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在上述半导体衬底的上述第1区域的周围，形成从上述绝缘膜的表面到达上述半导体衬底的沟，在上述沟的内部埋入导电性材料。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述高热传导率膜由氮化铝膜或氧化镁膜形成。

7.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述低热传导率膜由氧化铝膜或氮化硅膜形成。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述薄膜压电体波谐振器具有：

（e1）、在上述高热传导率膜上形成的声绝缘部；

（e2）、在上述声绝缘部上形成的下部电极；

（e3）、在上述下部电极上形成的压电层；以及

（e4）、在上述压电层上形成的上部电极。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：

上述声绝缘部由被在上述绝缘膜上形成的凹部和上述下部电极夹着的空洞部形成。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：

上述声绝缘部由埋入在上述绝缘膜上形成的凹部的声反射部形成。

11.一种便携式电话机，其特征在于包括：

（a）、处理基带信号的基带部；

（b）、把用上述基带部处理过的上述基带信号调制成发送信号的RFIC部；

（c）、把由上述RFIC部调制了的上述发送信号的功率放大的功率放大器；

（d）、把被上述功率放大器放大的上述发送信号的频带作为通过频带的发送滤波器；

（e）、发送通过了上述发送滤波器的上述发送信号的天线；

（f）、把由上述天线接收的接收信号的频带作为通过频带的接收滤波器；以及

（g）、把通过了上述接收滤波器的上述接收信号放大的低噪放大器，

上述RFIC部还具有对被上述低噪放大器放大了的上述接收信号进行解调的功能，

上述功率放大器包含用来放大上述发送信号的放大用晶体管，

上述发送滤波器和上述接收滤波器由多个薄膜压电体波谐振器构成，

上述功率放大器、上述发送滤波器和上述接收滤波器在同一半导体芯片上形成，

上述半导体芯片具有：

（f1）、半导体衬底；

（f2）、在上述半导体衬底的第1区域上形成的上述放大用晶体管；

（f3）、覆盖上述放大用晶体管的、在上述半导体衬底上形成的绝缘膜；

（f4）、作为在上述绝缘膜上形成的膜的、热传导率比上述绝缘膜高的高热传导率膜；以及

（f5）、在形成在上述半导体衬底的第2区域上的上述绝缘膜上隔着上述高热传导率膜形成的上述薄膜压电体波谐振器。

12.如权利要求11所述的便携式电话机，其特征在于：

在上述高热传导率膜和上述薄膜压电体波谐振器之间形成热传导率比上述高热传导率膜低的低热传导率膜。