[发明专利]用于键合两个晶片的方法和装置

权利要求书

1.用于键合第一和第二晶片（2，3）的装置，该键合使得所述第一和第二晶片通过所述第一晶片（3）的一个或多个结构（5）以及所述第二晶片（2）的一个或多个结构（5'）在所述结构（5，5'）的位于第一和第二晶片（2，3）之间的连接面V处连接在一起，其中所述第一和第二晶片（2，3）分别具有第一面和第二面，其中所述第一晶片（3）的所述结构（5）在所述第一晶片（3）的第一面上，并且所述第二晶片（2）的所述结构（5'）在所述第二晶片（2）的第二面上，

所述装置包括：

用于容纳所述第一晶片（3）的容纳体（4），所述第一晶片（3）的第二面朝向所述容纳体（4），

压力传输装置（1），其具有接触所述第二晶片（2）的第一面以便向所述第一和第二晶片（2，3）施加键合压力的压力面D，所述压力面D的面积小于形成所述连接面V的所述结构（5,5'）的表面总面积，其中所述第二晶片（2）的第二面朝向所述第一晶片（3）的第一面，和

用于将所述压力面D相继与所述第二晶片（2）的第一面的多个子片段接触的装置，由此在所述连接面V的多个子片段处分别施加所述键合压力，

其中至少部分地以超声波加载所述压力面D，并且所述压力面D将所述超声波传递给所述连接面V，

其中所述压力面D是楔形的。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述压力面D的面积小于形成所述连接面V的所述结构（5，5'）的表面总面积的80%。

3.根据以上权利要求中任一项所述的装置，其中所述压力面D至少部分地沿着所述第二晶片（2）的所述第一面运动。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的装置，其中所述连接面V的所述子片段的每一个与所述压力面D对应。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的装置，其中所述压力面D与所述第二晶片（2）的第一面平行地运动。

6.根据权利要求1至2中任一项所述的装置，其中一个或多个结构位于所述第一晶片（3）的第一面和/或所述第二晶片（2）的第二面上，所述连接面V位于所述一个或多个结构的表面处。

7.用于在位于第一和第二晶片（2，3）之间的连接面V处键合所述第一和第二晶片（2，3）的方法，其中所述第一和第二晶片（2，3）通过所述第一晶片（3）的一个或多个结构（5）以及所述第二晶片（2）的一个或多个结构（5'）在所述结构（5，5'）的连接面V处连接在一起，并且其中所述第一和第二晶片（2，3）分别具有第一面和第二面，其中所述第一晶片（3）的所述结构（5）在所述第一晶片（3）的第一面上，并且所述第二晶片（2）的所述结构（5'）在所述第二晶片（2）的第二面上，所述方法包括以下步骤：

容纳第一晶片（3），

将压力传输装置（1）的压力面D与所述第二晶片（2）的第一面接触，以便向所述第一和第二晶片（2，3）施加键合压力，所述压力面D的面积小于形成所述连接面V的所述结构（5,5'）的表面总面积，其中所述第二晶片（2）的第二面朝向所述第一晶片（3）的第一面；以及

向所述第二晶片（2）的第一面的多个子片段相继施加所述键合压力，由此在所述连接面V的多个子片段处分别施加所述键合压力，

其中所述方法还包括至少部分地向所述压力面D施加超声波并且将所述超声波传递给所述连接面V的步骤，

其中所述压力面D是楔形的。

8.根据权利要求7所述的方法，其中一个或多个结构位于所述第一晶片（3）的第一面和/或所述第二晶片（2）的第二面上，所述连接面V位于所述一个或多个结构的表面处。