[发明专利]阻气层叠体、其制造方法、电子装置用部件及电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有优异的阻气性和挠性的阻气层叠体、其制造方法、包含该阻气层叠体的电子装置用部件、以及具备该电子装置用部件的电子装置。

背景技术

近年，对于液晶显示器、电致发光(EL)显示器等显示器，为了实现薄型化、轻量化、挠性化等，对使用透明塑料膜来替代玻璃板作为基板进行了研究。

但是，塑料膜与玻璃板相比，易透过水蒸气、氧等，存在易产生显示器内部的元件的劣化的问题。

为了解决这种问题，专利文献1中提出了在透明塑料膜上层叠由金属氧化物形成的透明阻气层而成的挠性显示器基板。

但是，该文献记载的挠性显示器基板，由于其为在透明塑料膜表面，通过蒸镀法、离子镀法、溅射法等，层叠由金属氧化物形成的透明阻气层而成的，因此若将该基板卷起来或弯曲，则存在阻气层产生裂纹而阻气性降低的问题。另外，这种方法由于使用固体原料作为靶(target)，还存在原料成本高的问题。

专利文献2中公开了塑料膜、和在该塑料膜的至少一面层叠以聚有机倍半硅氧烷作为主要成分的树脂层而成的阻气性层叠体。

但是，为了得到氧、水蒸气等的阻气性，需要进一步层叠无机化合物层，因此存在工序繁杂、花费成本、或有使用具有毒性的气体的危险性等问题。

与本发明相关，专利文献3中公开了阻气性膜的制造方法，其在高分子膜上，将在20～150℃的温度区域中为液体的有机硅化合物作为成膜原料，通过使用在600～1520Torr的压力下产生的等离子体的CVD法，形成以氧化硅为主要成分的薄膜。

但是，通过该方法得到的膜的阻气性不能令人满意。

另外，专利文献4中公开了透明阻气层叠膜，其在基材上，通过干式涂覆法依次层叠高氧化度氧化硅层、低氧化度氧化硅层，接着对低氧化度氧化硅层面实施利用氧等气体进行的等离子体处理后，进而在该低氧化度氧化硅层的等离子体处理面层叠聚合物层而成。

但是，通过该方法得到的膜，需要层叠多层，存在制造工序繁杂、经济上不利的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-338901号公报

专利文献2：日本特开2006-123307号公报

专利文献3：日本特开平11-256338号公报

专利文献4：日本特开2004-351832号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明是鉴于上述现有技术而提出的，其目的在于，提供无需繁杂的制造工序、与以往的无机膜成膜相比可以廉价地制造、并且具有优异的阻气性和挠性的阻气层叠体、其制造方法、包含该阻气层叠体的电子装置用部件、以及具备该电子装置用部件的电子装置。

本发明人等为了解决上述问题而进行深入研究，结果发现，下述阻气层叠体具有优异的阻气性和挠性，从而完成了本发明，所述阻气层叠体为在基材上具有阻气层的阻气层叠体，前述阻气层为向有机硅化合物薄膜注入离子而得到的，所述有机硅化合物薄膜通过使用有机硅化合物作为成膜原料的CVD法形成。

如此根据本发明的第一，提供下述(1)～(7)的阻气层叠体。

(1) 阻气层叠体，其为在基材上具有阻气层的阻气层叠体，其特征在于，所述阻气层为向有机硅化合物薄膜注入离子而得到的，所述有机硅化合物薄膜通过使用有机硅化合物作为成膜原料的CVD法形成。

(2) 阻气层叠体，其为在基材上具有阻气层的阻气层叠体，其特征在于，所述阻气层为向有机硅化合物薄膜注入离子而得到的，所述有机硅化合物薄膜通过使用有机硅化合物作为成膜原料的等离子体CVD法形成。

(3) 阻气层叠体，其为在基材上具有阻气层的阻气层叠体，其特征在于，所述阻气层为向有机硅化合物薄膜注入离子而得到的，所述有机硅化合物薄膜通过使用有机硅化合物作为成膜原料的CVD法形成，且折射率为1.46～1.60。

(4) 如(1)～(3)中任一项记载的阻气层叠体，其特征在于，所述离子为选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪和硅化合物中的至少一种气体离子化而成的。

(5) 如(1)～(3)中任一项记载的阻气层叠体，其特征在于，所述离子的注入通过等离子体离子注入进行。

(6) 如(1)～(3)中任一项记载的阻气层叠体，其特征在于，所述有机硅化合物薄膜的厚度为30～500nm。

(7) 如(1)～(3)中任一项记载的阻气层叠体，其特征在于，在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为1g/m²/day以下。