[发明专利]半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体散热板用Mo烧结部件，其由含有10～50质量%铜的钼合金材料构成，其特征在于：所述钼合金材料的钼晶体的平均粒径为10～100μm，每500μm×500μm单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的±10%以内。

2.根据权利要求1所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于：半导体散热板用Mo烧结部件的表面粗糙度Ra在5μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于：所述钼合金材料以金属元素换算计含有0.1～3质量%的Ni、Co、Fe之中的至少一种以上。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于：所述钼合金材料是具有90～98%的密度的烧结合金材料。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于：所述铜填充于钼晶体彼此之间的间隙中。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于：所述钼晶体的最大晶体粒径在平均粒径的2倍以下。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于：在相邻的钼晶体彼此之间的距离中，最远离的距离为50μm以下。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于：半导体散热板用Mo烧结部件呈厚度为0.05～1mm、且直径为5～70mm的圆板状。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于：半导体散热板用Mo烧结部件的热膨胀率为7～14×10^-6/℃。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于：半导体散热板用Mo烧结部件的抗拉强度为0.44GPa以上。

11.根据权利要求1～10中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于：半导体散热板用Mo烧结部件的比电阻为5.3×10^-6Ω·m以下。

12.一种半导体装置，其特征在于：使用了权利要求1～11中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件。