[发明专利]导电性组合物、使用所述组合物的导电性膜及其制造方法

权利要求书

1.一种导电性组合物，所述组合物包含：(A)碳纳米管，(B)导电性聚合物，和(C)鎓盐化合物。

2.如权利要求1所述的导电性组合物，其中，所述(C)鎓盐化合物是对所述(A)碳纳米管和/或所述(B)导电性聚合物具有氧化能力的化合物。

3.如权利要求1或2所述的导电性组合物，其中，所述(C)鎓盐化合物是通过提供热或用活化能射线照射而产生酸的化合物。

4.如权利要求1～3中任一项所述的导电性组合物，其中，所述(C)鎓盐化合物是式(I)～式(V)中任一式表示的化合物：

其中，在式(I)～(V)中，R²¹～R²³、R²⁵～R²⁶和R³¹～R³³各自独立地表示线形、支化或环状烷基、芳烷基、芳基或芳香族杂环基；R²⁷～R³⁰各自独立地表示氢原子，或表示线形、支化或环状烷基、芳烷基、芳基、芳香族杂环基、烷氧基或芳氧基；R²⁴表示线形、支化或环状亚烷基或亚芳基；R²¹～R³³具有取代基或不具有取代基；

X^-表示强酸的阴离子；和

式(I)中的R²¹～R²³中的任意两个基团、式(II)中的R²¹和R²³、式(III)中的R²⁵和R²⁶、式(IV)中的R²⁷～R³⁰中的任意两个基团或者式(V)中的R³¹～R³³中的任意两个基团可以相互键连形成脂肪族环、芳香族环或杂环。

5.如权利要求4所述的导电性组合物，其中，在式(I)～(V)中，X^-是芳基磺酸的阴离子、全氟烷基磺酸的阴离子、过卤化路易斯酸的阴离子、全氟烷基磺酰亚胺的阴离子、过卤酸的阴离子、或者烷基硼酸盐或芳基硼酸盐的阴离子。

6.如权利要求1～5中任一项所述的导电性组合物，其中，所述(A)碳纳米管均匀地分散在所述组合物中。

7.如权利要求1～6中任一项所述的导电性组合物，所述组合物还包含溶剂。

8.如权利要求1～7中任一项所述的导电性组合物，在所述导电性组合物的全部固形物中，所述(A)碳纳米管的含量为3质量%～50质量%，所述(B)导电性聚合物的含量为30质量%～80质量%，所述(C)鎓盐化合物的含量为1质量%～50质量%。

9.如权利要求1～8中任一项所述的导电性组合物，所述组合物用于热电转换。

10.一种导电性膜，所述导电性膜使用权利要求1～9中任一项所述的导电性组合物形成。

11.一种导电性膜，所述导电性膜是通过使权利要求1～9中任一项所述的导电性组合物成形、然后对成形的产物提供热或活化能射线而形成的。

12.一种导电性层积体，所述导电性层积体包含基体和所述基体上的权利要求10或11所述的导电性膜。

13.一种导电性层积体，所述导电性层积体通过在基体上涂布权利要求1～9中任一项所述的导电性组合物而形成。

14.一种导电性层积体，所述导电性层积体通过在基体上涂布权利要求1～9中任一项所述的导电性组合物、然后对经涂布的产物提供热或活化能射线而形成。

15.如权利要求12～14中任一项所述的导电性层积体，其中，所述基体是树脂膜。

16.如权利要求12～15中任一项所述的导电性层积体，所述导电性层积体还具有电极。

17.一种热电转换元件，所述热电转换元件包含权利要求10或11所述的导电性膜或权利要求12～16中任一项所述的导电性层积体。

18.一种导电性物品，所述导电性物品使用权利要求1～9中任一项所述的导电性组合物、权利要求10或11所述的导电性膜和权利要求12～16中任一项所述的导电性层积体中的任一种。