[发明专利]太阳能电池用保护片及其制造方法、以及太阳能电池模块无效
申请号: | 201280016103.6 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN103460400A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 高梨誉也;内藤真人;田矢直纪 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B27/20;B32B27/08 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 保护 及其 制造 方法 以及 模块 | ||
1.一种太阳能电池用保护片,其为具有基材与层叠于所述基材的至少一侧表面的热塑性树脂层的太阳能电池用保护片,其特征在于:
所述热塑性树脂层含有由氧化钛、滑石、氧化镁、氧化铈、硫酸钡、碳酸钙以及炭黑所组成的组中的至少一种颜料。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池用保护片,其特征在于:所述热塑性树脂层由单层构成,以密度为875~920kg/m3,由差示扫描量热计所得到的熔解热△H为100J/g以下的烯烃系树脂作为主成分。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池用保护片,其特征在于:在所述热塑性树脂层中含有2.5~35质量%所述颜料。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池用保护片,其特征在于:
所述热塑性树脂层具有:
层叠于所述基材上,对所述基材显示粘接性的第1层;及
层叠于所述第1层上,以烯烃系树脂作为主成分的第2层;
所述第2层的所述烯烃系树脂的密度为875~920kg/m3,由差示扫描量热计所得到的熔解热△H为100J/g以下。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池用保护片,其特征在于:所述颜料含在所述第2层中。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池用保护片,其特征在于:在所述第2层中含有2.5~35质量%所述颜料。
7.根据权利要求2~6的任意一项所述的太阳能电池用保护片,其特征在于:所述烯烃系树脂含有60~100质量%乙烯作为单体单元。
8.根据权利要求4~6的任意一项所述的太阳能电池用保护片,其特征在于:所述第1层以乙烯与选自(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯以及乙酸乙烯酯所组成的组中的至少一种的共聚物作为主成分。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池用保护片,其特征在于:所述第1层的所述共聚物中作为单体单元的(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯以及乙酸乙烯酯的合计含量为2~40质量%。
10.根据权利要求8或9所述的太阳能电池用保护片,其特征在于:所述第1层的所述共聚物中的作为单体单元的(甲基)丙烯酸酯为选自由丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯以及甲基丙烯酸甲酯所组成的组中的至少一种。
11.根据权利要求1~10的任意一项所述的太阳能电池用保护片,其特征在于:所述热塑性树脂层由挤出涂布而形成。
12.根据权利要求1~11的任意一项所述的太阳能电池用保护片,其特征在于:所述热塑性树脂层为与构成太阳能电池模块的密封材料粘接的层。
13.一种太阳能电池用保护片的制造方法,其为具有基材与层叠于所述基材的至少一侧表面的热塑性树脂层的太阳能电池用保护片的制造方法,其特征在于:
以密度为875~920kg/m3,由差示扫描量热计所得到的熔解热△H为100J/g以下的烯烃系树脂作为主成分;将含有选自由氧化钛、滑石、氧化镁、氧化铈、硫酸钡、碳酸钙以及炭黑所组成的组中的至少一种颜料的热塑性树脂组合物挤出涂布于所述基材的至少一侧表面而形成所述热塑性树脂层。
14.一种太阳能电池用保护片的制造方法,其为具备基材与层叠于所述基材的至少一侧表面的热塑性树脂层的太阳能电池用保护片的制造方法,其特征在于:
将第1树脂组合物和第2树脂组合物,以所述第1树脂组合物位于所述基材侧的方式,共挤出涂布于所述基材的至少一侧表面,形成具有由层叠于所述基材上的所述第1树脂组合物所构成的第1层,和由层叠于所述第1层上的所述第2树脂组合物所构成的第2层的所述热塑性树脂层,
其中,所述第1树脂组合物对所述基材具有粘接性,所述第2树脂组合物以密度为875~920kg/m3,由差示扫描量热计所得到的熔解热△H为100J/g以下的烯烃系树脂作为主成分,且含有选自由氧化钛、滑石、氧化镁、氧化铈、硫酸钡、碳酸钙以及炭黑所组成的组中的至少一种颜料。
15.一种太阳能电池模块,其为具有太阳能电池组件、密封所述太阳能电池组件的密封材料和层叠于所述密封材料的保护片的太阳能电池模块,其特征在于:
所述保护片由权利要求12所述的太阳能电池用保护片构成,
所述保护片介由所述热塑性树脂层而粘接于所述密封材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的