[发明专利]电解铜箔及电解铜箔的制造方法有效
| 申请号： | 201280016134.1 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103429793B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 古曳伦也 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 高旭轶;孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电解 铜箔 制造 方法 | ||
1.电解铜箔，其中，铜箔中的硫浓度为10质量ppm以上50质量ppm以下，表面粗糙度Rz为1.8μm以下，相对于利用扫描透射型电子显微镜进行的百万倍观察所获得的STEM图像形成10nm间隔的晶格，以各晶格的交点作为测定点测定硫浓度时，存在与铜箔中的硫浓度相比、硫浓度增高的测定点。
2.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，常态抗拉强度为50kgf/mm2以上，在250℃加热30分钟后的抗拉力为所述常态抗拉力的90％以上。
3.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述电解铜箔的延伸率为5.0％以上。
4.根据权利要求2所述的电解铜箔，其中，所述电解铜箔的延伸率为5.0％以上。
5.一种电解铜箔，其中，铜箔中的硫浓度为10质量ppm以上50质量ppm以下，表面粗糙度Rz为1.8μm以下，相对于利用扫描透射型电子显微镜进行的百万倍观察所获得的STEM图像形成10nm间隔的晶格，以各晶格的交点作为测定点测定硫浓度时，存在与铜箔中的硫浓度相比、硫浓度高10倍以上的测定点。
6.根据权利要求5所述的电解铜箔，其中，常态抗拉强度为50kgf/mm2以上，在250℃加热30分钟后的抗拉力为所述常态抗拉力的90％以上。
7.根据权利要求5所述的电解铜箔，其中，所述电解铜箔的延伸率为5.0％以上。
8.根据权利要求6所述的电解铜箔，其中，所述电解铜箔的延伸率为5.0％以上。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的电解铜箔，其中，所述电解铜箔为二次电池负极集电体用铜箔。
10.电解铜箔的制造方法，其特征在于，使用含有胶2～5质量ppm、以使铜箔中的硫浓度达到10质量ppm以上50质量ppm的方式进行了调整的电解液，在电解温度60～65℃、电流密度60～120A/dm2下进行电解，从而制造权利要求1~9中任一项所述的电解铜箔。
11.集电体，其使用了权利要求1~9中任一项所述的铜箔。
12.二次电池，其中，集电体中使用了权利要求1~9任一项所述的铜箔。
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