[发明专利]气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该原子层沉积装置的原子层沉积方法

权利要求书

1.一种气体喷注装置，包括：

供气管，所述供气管具有第一圆周表面和导槽，所述第一圆周表面围住气体供应所通过的孔，所述导槽从所述第一圆周表面的开口部分起延伸，所述导槽限定用作排气孔的空间；以及

吸气管，所述吸气管具有第二圆周表面和吸气孔，所述第二圆周表面连接至所述导槽，所述第二圆周表面围住所述第一圆周表面的外表面，所述吸气孔形成在所述第二圆周表面的一部分中。

2.如权利要求1所述的气体喷注装置，进一步包括气阀管，所述气阀管安装在所述供气管中以调节气体的流速，所述气阀管被设置成可绕着所述供气管的中心轴旋转，所述气阀管在所述气阀管的纵向上形成有开口。

3.如权利要求2所述的气体喷注装置，其中所述气阀管的所述开口包括在所述气阀管的纵向上形成在所述气阀管中的单个一体式开口，或在纵向上以规则的间距彼此间隔的位置处形成在所述气阀管中的多个开口。

4.如权利要求1所述的气体喷注装置，其中所述吸气孔包括在关于所述排气孔的对称位置处形成的多个吸气孔。

5.如权利要求1所述的气体喷注装置，其中所述吸气孔与所述排气孔相对于所述气体喷注装置的中心的角度在5°至90°的范围内。

6.如权利要求1所述的气体喷注装置，其中所述排气孔被定向成所述吸气管的纵向，并且包括以规则的间距彼此间隔开的多个孔，或一个一体式槽。

7.如权利要求1所述的气体喷注装置，其中气体供应和气体吸取是在常压下进行的。

8.一种原子层沉积装置，包括能够同时进行气体供应和气体吸取的至少两个气体喷注单元，各所述气体喷注单元包括：

供气管，所述供气管具有第一圆周表面和导槽，所述第一圆周表面引导气体的供应，所述导槽限定用于将气体排出到衬底上的排气孔；以及

吸气管，所述吸气管具有第二圆周表面和吸气孔，所述第二圆周表面连接至所述导槽，所述第二圆周表面围住所述第一圆周表面的外表面，所述吸气孔形成在所述第二圆周表面的一部分中。

9.如权利要求8所述的原子层沉积装置，其中各所述气体喷注单元与所述衬底之间的距离在0.1mm至5mm的范围内。

10.如权利要求8所述的原子层沉积装置，进一步包括用于加热所述衬底的表面的加热构件，所述加热构件用于在将气体供应到所述衬底上的操作进行之前加热所述衬底。

11.如权利要求10所述的原子层沉积装置，其中所述加热构件包括卤素灯或激光器。

12.如权利要求10所述的原子层沉积装置，其中所述加热构件被布置成在所述衬底的预定部分被所述加热构件加热之后，进行将气体供应到所述衬底的被加热部分上的操作。

13.一种原子层沉积方法，包括：

通过第一气体喷注单元将来源气供应到衬底上并且使用所述第一气体喷注单元来吸取所述来源气；

通过与所述第一气体喷注单元间隔第一距离的第二气体喷注单元将吹扫气供应到所述衬底上并且使用所述第二气体喷注单元来吸取所述吹扫气；以及

通过与所述第二气体喷注单元间隔第二距离的第三气体喷注单元将反应气供应到所述衬底上并且使用所述第三气体喷注单元来吸取所述反应气。

14.如权利要求13所述的原子层沉积方法，进一步包括：在供应所述来源气之前，

使用加热构件加热所述衬底。

15.如权利要求14所述的原子层沉积方法，其中对所述衬底的加热是在进行所述来源气的供应和吸取的预定部分上进行的。

16.如权利要求13所述的原子层沉积方法，其中在所述衬底上，所述来源气的供应/吸取、所述吹扫气的供应/吸取以及所述反应气的供应/吸取是在常压下进行的。

17.如权利要求13所述的原子层沉积方法，其中在所述衬底移动且所述第一至第三气体喷注单元静止的情况下，所述来源气的供应/吸取、所述吹扫气的供应/吸取以及所述反应气的供应/吸取是同时进行的。

18.如权利要求13所述的原子层沉积方法，其中在所述衬底静止且所述第一至第三气体喷注单元移动的情况下，所述来源气的供应/吸取、所述吹扫气的供应/吸取以及所述反应气的供应/吸取是同时进行的。

19.如权利要求13所述的原子层沉积方法，其中在所述第一至第三气体喷注单元与所述衬底在彼此相反的方向上移动或在彼此相反的方向上重复地往返移动的情况下，所述来源气的供应/吸取、所述吹扫气的供应/吸取以及所述反应气的供应/吸取是同时进行的。