[发明专利]具有激光器液滴等离子体照射器的光学成像系统有效
申请号: | 201280016263.0 | 申请日: | 2012-01-30 |
公开(公告)号: | CN103460366B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 理查德·W·索拉兹;斯特凡·P·杜兰特;秀辉·黄 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 激光器 等离子体 照射 光学 成像 系统 | ||
1.一种设备,其包括:
光源,其包括:
液滴产生器,其分配进料的一连串液滴;以及
激光器,其产生激发光,所述激发光被引导到所述进料的液滴,其中所述激发光与所述进料的所述液滴的相互作用致使所述液滴离子化,从而形成发射照射光的等离子体,其中所述照射光包括从约40纳米到约200纳米的频谱区域中的光,且其中所述照射光可用于照射样品。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述激发光是由具有在1纳秒与40纳秒之间的脉冲持续时间的固态激光器产生。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述激发光的波长是约1微米。
4.根据权利要求2所述的设备,其中由所述固态激光器产生的脉冲的能量在1毫焦耳与20毫焦耳之间。
5.根据权利要求2所述的设备,其中所述固态激光器取自由以下各者组成的群组:基于镱Yb的固态激光器和基于钕Nb的固态激光器。
6.根据权利要求1所述的设备,其中所述照射光在从40纳米到55纳米的频谱范围内具有至少10W/mm2-sr的辐射率。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述进料包含稀有气体、碱金属和金属卤化物中的任一者。
8.根据权利要求6所述的设备,其中所述等离子体达到8电子伏特与20电子伏特之间的温度。
9.根据权利要求1所述的设备,其中所述照射光在从100纳米到200纳米的频谱范围内具有至少10W/mm2-sr的辐射率。
10.根据权利要求9所述的设备,其中所述进料包含呈氢化物分子组合物或氧化物分子组合物的Ga、In、C、Si、Zn、Cu和O中的任一者。
11.根据权利要求9所述的设备,其中所述进料取自由以下各者组成的群组:SiH4、SiO2、O2、CH4、H2O和CO2。
12.根据权利要求9所述的设备,其中所述等离子体达到4电子伏特与10电子伏特之间的温度。
13.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:
收集器,其搜集由所述等离子体发射的可用于照射所述样品的所述照射光;以及
物镜,其搜集并放大响应于入射到样品的所述照射光而从所述样品发射的所收集光,且将所述所收集光引导到检测器。
14.根据权利要求13所述的设备,其中所述物镜将所述照射光引导到所述样品,且其中所述照射光和所述所收集光占据所述物镜的光瞳面中的空间上分离的区域。
15.根据权利要求13所述的设备,其中所述物镜将所述照射光引导到所述样品,且其中所述照射光和所述所收集光占据所述物镜的光瞳面中的空间上重叠的区域。
16.根据权利要求13所述的设备,其进一步包括:
至少一个照射光学器件,其将所述照射光从所述收集器引导到所述样品,其中所述物镜的光瞳面仅包含所述所收集光。
17.根据权利要求13所述的设备,其进一步包括:
至少一个照射光学器件,其将所述照射光从所述收集器引导到具有非均一光学轮廓的所述物镜的至少一个反射元件,其中所述元件的第一部分将所述照射光反射到所述样品,且其中所述元件的第二部分搜集响应于所述照射光而从所述样品发射的所述所收集光。
18.根据权利要求13所述的设备,其中所述检测器是硅时间延迟和积分TDI传感器。
19.根据权利要求1所述的设备,其中所述样品是经图案化的半导体晶片。
20.根据权利要求13所述的设备,其中所述等离子体的几何形状的大小经设计以实质上与所述物镜的展度匹配。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造