[发明专利]多晶硅中碳浓度的测定方法

权利要求书

1.一种多晶硅中碳浓度的测定方法，其特征在于，

从多晶硅棒切出板状多晶硅，

对该板状多晶硅的两表面进行镜面磨削，形成2.12±0.01mm的厚度，

使用代位碳浓度已知的厚度为2.00±0.01mm的单晶硅标准试样，根据采用红外吸收分光光度法的标准测定法制作校准曲线，

在与制作所述校准曲线时相同的条件下，求出所述镜面磨削后的板状多晶硅所希望位置的包含代位碳的吸收带峰的波数区域的红外吸收光谱，

在不进行厚度修正的情况下，基于所述校准曲线求出所述板状多晶硅的代位碳浓度。

2.一种多晶硅中碳浓度的测定方法，其特征在于，

从多晶硅棒相邻地切出至少2片不同厚度的板状多晶硅，

对该板状多晶硅各自的两表面进行镜面磨削，准备比2.12mm薄的第1板状多晶硅和比2.12mm厚的第2板状多晶硅，

使用代位碳浓度已知的厚度为2.00±0.01mm的单晶硅标准试样，并根据采用红外吸收分光光度法的标准测定法制作第1校准曲线，

在与制作所述第1校准曲线时相同的条件下，求出所述镜面磨削后的第1和第2板状多晶硅所希望位置的包含代位碳的吸收带峰的波数区域的红外吸收光谱，

在不进行厚度修正的情况下，基于所述第1校准曲线求出所述第1和第2板状多晶硅的代位碳浓度，

由所述第1和第2板状多晶硅的代位碳浓度和厚度制作第2校准曲线，

将该第2校准曲线中对应于厚度2.00±0.01mm的碳浓度作为所述板状多晶硅的切出部位的碳浓度。