[发明专利]接近传感器有效
| 申请号： | 201280016519.8 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103534947A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | A·凯克斯;P·舒勒;T·赫尔曼 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) |
| 主分类号： | H03K17/955 | 分类号： | H03K17/955;C03C17/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接近 传感器 | ||
1.电子接近传感器，具有在装饰面下方布置的传感器元件，其特征在于，所述装饰面被涂覆有薄半导体层。
2.根据权利要求1所述的电子接近传感器，其特征在于，所述半导体层的厚度在10nm-100nm之间。
3.根据权利要求1和2之一所述的电子接近传感器，其特征在于，所述半导体层包括硅作为半导体材料。
4.根据权利要求3所述的电子接近传感器，其特征在于，所述半导体层由硅组成。
5.根据前述任一权利要求所述的电子接近传感器，其特征在于，所述半导体层是包括至少一个其它层的层系统的组成部分，该层系统优选是干涉层系统。
6.根据权利要求5所述的电子接近传感器，其特征在于，所述至少一个其它层可以是二氧化硅层。
7.根据权利要求5或6所述的电子接近传感器，其特征在于，所述层系统是交替层系统。
8.根据前述任一权利要求所述的电子接近传感器，其特征在于，在所述半导体层和形成所述装饰面的铜之间提供包括聚合物层的中间层，该聚合物层优选地由紫外线UV强化漆组成。
9.根据前述任一权利要求所述的电子接近传感器，其特征在于，作为隔绝环境的层设置聚合物层，该聚合物层优选地由紫外线UV强化漆组成。
10.带有根据前述任一权利要求所述的电子接近传感器的接近开关。
11.用于制造电子接近传感器的方法，包括以下步骤：
-提供带有装饰面的电子接近传感器；
-使用半导体层来涂覆所述装饰面，该半导体层的层厚度为10nm-100nm之间，其中，通过真空工艺实现所述涂覆。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述真空工艺是PVD和／或CVD工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫)，未经欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫)许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280016519.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
