[发明专利]控制氧化硅膜厚度的方法

权利要求书

1.一种涂覆衬底的方法，包括：

准备用于沉积的化学溶液；

将多个衬底置于承载器中，其中，所述承载器将所述衬底的底部分隔开第一预设间隔，将所述衬底的顶底分隔开第二预设间隔；

将所述承载器和多个衬底浸入所述化学溶液中一预设的时间段，以在所述衬底上沉积相应厚度的膜，所述厚度与所述衬底间间隔距离相对应；以及

将所述承载器和所述多个衬底从所述化学溶液中移出。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设间隔和所述第二预设间隔将所述多个衬底的第一表面分隔开，所述第一预设间隔以及第二预设间隔相等。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括：通过第三预设间隔将与所述第一表面相对的、所述多个衬底的第二表面分隔开，所述第三预设间隔大于所述第一和第二预设间隔。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一和第二预设间隔小于或等于0.5mm。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三预设间隔等于或大于0.5mm。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二预设间隔大于所述第一预设间隔，以形成V形布置。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一预设间隔近似为0，所述第二预设间隔等于或小于0.5mm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学溶液包括六氟硅酸（H₂SiF₆）。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个衬底为硅片。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积在所述多个衬底上的膜为氧化硅（SiO_x）膜。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积在所述多个衬底上的膜为金属氧化物、硫化物或金属硒化物。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积在所述多个衬底上的膜为TiO₂、ZrO₂、In₂O₃、SnO₂、BaTiO₃、ZnS、Bi₂Se₃或铟锡氧化物（ITO）。

13.一种涂覆衬底的方法，包括：

准备用于沉积的化学溶液；

将多个衬底置于承载器中，其中，所述承载器将所述衬底的正面分隔开第一预设间隔，将所述衬底的背面分隔开第二预设间隔；

将所述承载器和多个衬底浸入所述化学溶液中一预设的时间段，在所述正面沉积的膜具有与所述第一预设间隔对应的正面厚度，在所述背面沉积的膜具有与所述第二预设间隔对应的背面厚度；以及

将所述多个衬底从所述化学溶液中移出。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述沉积在所述多个衬底上的膜为氧化硅（SiO_x）膜。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述沉积在所述多个衬底的正、背面上的膜为金属氧化物、硫化物或金属硒化物。

16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述沉积在所述多个衬底的正、背面上的膜为TiO₂、ZrO₂、In₂O₃、SnO₂、BaTiO₃、ZnS、Bi₂Se₃或铟锡氧化物（ITO）。

17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一预设间隔等于或小于0.5mm。

18.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二预设间隔等于或大于0.5mm。