[发明专利]附有绝缘层的金属基板及其制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种附有绝缘层的金属基板，其特征在于包括：

金属基板，至少单面具有金属铝；以及

复合构造层，由多孔氧化铝膜与碱金属硅酸盐膜所形成，所述多孔氧化铝膜藉由阳极氧化而形成在所述金属铝上，所述碱金属硅酸盐膜披覆所述多孔氧化铝膜及所述多孔氧化铝膜的细孔表面，

其中，在所述复合构造层侧自所述复合构造层与所述金属铝的界面厚度1μm的位置与在所述复合构造层侧自所述复合构造层与位于所述金属铝的相反侧的上部层的界面厚度1μm的位置之间的区域内的任意位置中，所述复合构造层中硅相对于铝的质量比为0.001以上、0.2以下。

2.根据权利要求1所述的附有绝缘层的金属基板，其特征在于：所述碱金属硅酸盐膜的碱金属至少为钠；以及

在所述复合构造层侧自所述复合构造层与所述金属铝的界面厚度1μm的位置与在所述复合构造层侧自所述复合构造层与位于所述金属铝的相反侧的上部层的界面厚度1μm的位置之间的区域内的任意位置中，所述复合构造层中钠相对于铝的质量比为0.001以上、0.1以下。

3.根据权利要求2所述的附有绝缘层的金属基板，其特征在于：所述碱金属硅酸盐膜的碱金属为钠、锂或者钾。

4.根据权利要求2或3所述的附有绝缘层的金属基板，其特征在于：所述碱金属硅酸盐膜含有硼或者磷。

5.根据权利要求1—4中任一项所述的附有绝缘层的金属基板，其特征在于：在所述复合构造层上具有披覆所述多孔氧化铝膜的表面而形成的碱金属硅酸盐层。

6.一种附有绝缘层的金属基板，其特征在于包括：

金属基板，至少单面具有金属铝；

复合构造层，由多孔氧化铝膜与无机金属氧化物膜所形成，所述多孔氧化铝膜藉由阳极氧化而形成在所述金属铝上，所述无机金属氧化物膜披覆所述多孔氧化铝膜与所述多孔氧化铝膜的表面及细孔表面；以及

碱金属硅酸盐层，形成在所述复合构造层上，

其中所述复合构造层中实质上不含有碱金属。

7.根据权利要求6所述的附有绝缘层的金属基板，其特征在于：所述无机金属氧化物膜的无机金属氧化物为氧化硅。

8.根据权利要求6或7所述的附有绝缘层的金属基板，其特征在于：披覆所述多孔氧化铝膜的表面的所述无机金属氧化物膜的厚度为300nm以下。

9.根据权利要求5—8所述的附有绝缘层的金属基板，其特征在于：所述碱金属硅酸盐层的厚度为1μm以下。

10.根据权利要求1—9中任一项所述的附有绝缘层的金属基板，其特征在于：所述金属基板为以铝板将铝、不锈钢或者铁钢板的单面或双面一体化了的包层材。

11.根据权利要求10所述的附有绝缘层的金属基板，其特征在于：所述多孔氧化铝膜具有压缩应力。

12.一种半导体装置，其特征在于：

在权利要求1—11中任一项所述的附有绝缘层的金属基板上形成半导体电路。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于：所述金属基板连接高于所述半导体电路的平均电位的部分。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于：所述金属基板在所述半导体电路驱动时与成为最高电位的部分短路。

15.根据权利要求12、13或14所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体电路的半导体为光电转换半导体。

16.一种附有绝缘层的金属基板的制造方法，其特征在于：

在金属基板的至少单面所设置的金属铝上，对所述金属铝进行阳极氧化而形成多孔氧化铝膜，将所述多孔氧化铝膜浸渍于含有5质量％～30质量％的碱金属硅酸盐的水溶液，或者在所述多孔氧化铝膜上涂布含有5质量％～30质量％的碱金属硅酸盐的水溶液，浸渍或涂布后进行热处理，藉此形成由所述多孔氧化铝膜与披覆所述多孔氧化铝膜的细孔表面的碱金属硅酸盐膜所形成的复合构造层。

17.根据权利要求16所述的附有绝缘层的金属基板的制造方法，其特征在于：所述热处理的温度为200℃～600℃。