[发明专利]磁记录膜用溅射靶有效
| 申请号： | 201280016580.2 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN103459656A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一;中村祐一郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C5/02;C22C5/04;C22C5/06;C22C30/00;C22C30/02;C22C38/00;G11B5/851;C22C1/04;C22C33/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 金龙河;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁记录膜用溅射靶，其含有C，其特征在于，拉曼散射光谱测定中的G带与D带的峰强度比(IG/ID)为5.0以下。
2.如权利要求1所述的磁记录膜用溅射靶，其包含组成为Pt为5摩尔%以上且60摩尔%以下、余量为Fe的金属和C。
3.如权利要求1或2所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，C的含有比例为20摩尔%以上且70摩尔%以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，相对密度为90%以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，含有0.5摩尔%以上且20摩尔%以下的选自B、Ru、Ag、Au、Cu中的一种以上元素作为添加元素。
6.如权利要求1～5中任一项所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，含有0.5摩尔%以上且20摩尔%以下的选自SiO2、Cr2O3、CoO、Ta2O5、B2O3、MgO、Co3O4中的一种以上的氧化物作为添加剂。
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