[发明专利]用于感测水下信号的方法和设备有效
申请号: | 201280016682.4 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN103534612B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | K.K.邓 | 申请(专利权)人: | 离子地球物理学公司 |
主分类号: | G01V1/18 | 分类号: | G01V1/18;G01P15/09;G01P15/12;G01P15/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 原绍辉,胡斌 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 水下 信号 方法 设备 | ||
1.一种形成换能器的方法,包括以下行为:
由第一金属薄板材料形成结构性底板;
由第二金属薄板材料形成结构性顶板;
形成中部,包括中上元件和中央元件,
包括以下行为:
由第三薄板材料形成所述中上元件,所述中上元件包括中上框架,中上质量体,和用于将所述中上质量体附连到所述中上框架上的多个中上附连构件,每个由相同的第三薄板材料形成;
由第四薄板材料形成所述中央元件,所述中央元件包括中央框架和中央质量体,每个由相同的第四薄板材料形成;
将所述中上质量体和所述中央质量体联接在一起以形成组合质量体;以及
将所述中上框架和所述中央框架联接在一起形成组合框架;
将所述组合框架联接到所述顶板,从而使得第一电容设置于所述组合质量体与所述顶板之间;以及
将所述组合框架联接到所述底板,从而使得第二电容设置于所述组合质量体与所述底板之间。
2.根据权利要求1 所述的方法,其还包括以下行为:
由第五薄板材料形成中下元件,所述中下元件包括中下框架,中下质量体,和用于将所述中下质量体附连到所述中下框架上的多个中下附连构件,每个由相同的第五薄板材料形成;
结合所述中下质量体、所述中央质量体和所述中上质量体以形成所述组合质量体;以及
结合所述中下框架、所述中央框架和所述中上框架以形成组合框架。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第三薄板材料为第三金属薄板材料,并且所述第四薄板材料为第四金属薄板材料。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一金属薄板材料和第二金属薄板材料中的一个或多个包括不锈钢。
5.根据权利要求1 所述的方法,其还包括以下行为:
由所述第一金属薄板材料形成多个底板;
由所述第二金属薄板材料形成多个顶板;以及
由所述第三薄板材料形成多个中部。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述底板由多个薄板材料形成,所述底板通过将所述多个薄板材料结合在一起而形成,并且所述结合包括热结合。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述组合框架提供用于所述换能器的壳体的至少部分并且所述结构性底板和结构性顶板形成所述壳体的部分。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,所述组合框架的第一表面通过第一电介质层而联接到所述顶板、并且所述组合框架的第二表面通过第二电介质层而联接到所述底板,并且其中所述第一电介质层和第二电介质层通过向所述组合框架的第一表面和第二表面镀以电介质材料来形成。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,第一电介质层和第二电介质层分别形成于所述顶板和底板上,并且所述组合质量体也镀以电介质材料。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,通过在所述第一金属薄板材料上蚀刻多个第一穿孔来形成所述底板,并且通过在所述第二金属薄板材料上蚀刻多个第二穿孔来形成所述顶板。
11.一种换能器,包括:
由第一非半导体薄板材料形成的底板;
由第二非半导体薄板材料形成的顶板;以及
中部,所述中部包括:由第三薄板材料形成的中上元件,所述中上元件包括中上框架,中上质量体,和用于将所述中上质量体附连到所述中上框架上的多个中上附连构件,所述中上框架,中上质量体,和多个中上附连构件由相同的第三薄板材料形成;
由第四薄板材料形成的中央元件,所述中央元件包括中央框架和中央质量体,所述中央框架和中央质量体由相同的第四薄板材料形成;
其中所述中上质量体和所述中央质量体联接在一起以形成组合质量体,将所述中上框架和所述中央框架联接在一起以形成组合框架;将所述组合框架联接到所述顶板从而使得第一电容设置于所述组合质量体与所述顶板之间;以及将所述组合框架联接到所述底板从而使得第二电容设置于所述组合质量体与所述底板之间。
12.根据权利要求11所述的换能器,其中,所述底板、所述顶板和所述中部一起形成第一加速度计,还包括第二加速度计和第三加速度计,所述第一加速度计、第二加速度计和第三加速度计安装于外壳中并且一起形成矢量传感器。
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