[发明专利]用于纳米结构阵列的电极结构及其方法

权利要求书

1.一种热电装置，所述装置包括：

纳米线，每个纳米线包括第一端和第二端；

接触层，其经由每个纳米线的至少第一端电联接纳米线；和

分流器，其电联接到接触层；

其中：

所有纳米线基本上平行于彼此；

第一端和接触层之间的第一接触电阻率范围从10^-13Ω-m²到10^-7Ω-m²；

第一端和接触层之间的第一功函数小于0.8电子伏特；而

接触层与第一热阻相关，该第一热阻范围从10^-2K/W到10¹⁰K/W。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

一个或多个填充材料，其位于纳米线之间；

其中纳米线通过一个或多个填充材料相对彼此固定位置。

3.根据权利要求2所述的装置，其中：

每个所述纳米线还包括与第一端有关的第一段和与第二端有关的第二段；

第二段基本上被一个或多个填充材料包围；

第一段从一个或多个填充材料突出；而

接触层经由每个纳米线的至少第一段电联接纳米线。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述一个或多个填充材料各自包括选自包含光阻材料、旋涂玻璃、旋涂掺杂剂、气凝胶、干凝胶、氮化物和氧化物的组的至少一个材料。

5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述一个或多个填充材料的每一个都与小于50瓦特每米每开氏度的导热率有关。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一端和所述第二端之间的距离是至少300μm。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述距离是至少525μm。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述纳米线对应一区域，该区域在尺寸上小于0.01mm²。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述纳米线对应一区域，该区域在尺寸上至少100mm²。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置与至少升华温度和融化温度有关，所述升华温度和所述融化温度高于350℃。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述融化温度和所述升华温度高于800℃。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述接触层包括选自包含半导体，半金属、以及金属的组的至少一个或多个材料。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述半导体包括选自包含Si、Ge、C、B、P、N、Ga、As和In的组的至少一个。

14.根据权利要求12所述的装置，其中，所述半金属包括选自包含B、Ge、Si、和Sn的组的至少一个。

15.根据权利要求12所述的装置，其中，所述金属包括选自包含Ti、Al、Cu、Au、Ag、Pt、Ni、P、B、Cr、Li、W、Mg、TiW、TiNi、TiN、Mo、TiSi、MoSi和WSi的组的至少一个。

16.根据权利要求1所述的装置，其中，所述接触层与范围从1nm到100,000nm的厚度有关。

17.根据权利要求1所述的装置，其中，所述分流器包括选自包含的Ti、Al、Cu、Au、Ag、Pt、Ni、P、B、Cr、Li、W、Mg、TiW、TiNi、TiN、Mo、TiSi、MoSi、NiSi、WSi、石墨、钢、镍铁合金、以及钴铬镍铁钼锰的合金的组的至少一个或多个材料

18.根据权利要求1所述的装置，其中，所述分流器与范围从1nm到100,000nm的厚度有关。

19.根据权利要求1所述的装置，还包括：

连结层，其联接接触层和所述分流器；

其中所述连结层与下列有关：

范围从10^-10Ω每平方和10Ω每平方的薄层电阻；和

范围从10^-2K/W到10¹⁰K/W的热阻。