[发明专利]发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种制造发光二极管的方法，包括以下步骤：

（i）提供包括多个层的半导体晶片，所述多个层包括发光层；

（ii）在所述半导体晶片之上提供保护层；

（iii）在所述半导体晶片上执行加工步骤以形成发光二极管；

其中，设置所述保护层以在至少一个加工步骤中保护所述半导体晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述加工步骤包括在所述保护层之上提供掩模。

3.根据权利要求1所述的方法，其中提供掩模的步骤包括在所述保护层之上提供掩模层，然后蚀刻透所述掩模层的区域以形成所述掩模。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，提供所述掩模的步骤还包括在所述掩模层之上提供金属层，并将所述金属层退火以形成在其间限定出蚀刻区域的金属岛。

5.根据权利要求2至4中的任何一项所述的方法，其中所述掩模限定出蚀刻区域，所述加工步骤包括蚀刻进入所述蚀刻区域下的半导体晶片中。

6.根据前述任何一项权利要求所述的方法，其中所述加工步骤的一些步骤在所述晶片中形成其间具有间隙的纳米柱，所述加工步骤包括用材料填充间隙并回蚀所述材料。

7.根据权利要求2至6中的任何一项所述的方法，其中，所述加工步骤包括去除所述掩模。

8.根据前述任何一项权利要求所述的方法，还包括用酸对蚀刻过的半导体晶片进行处理。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述酸是温度至少为100℃的硝酸。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中所述处理步骤的持续时间至少为1分钟。

11.根据权利要求8至10中的任何一项所述的方法，其中所述酸包括至少50%的硝酸。

12.根据前述任何一项权利要求所述的方法，还包括去除所述保护层。

13.根据前述任何一项权利要求所述的方法，其中所述加工步骤包括在所述半导体晶片之上提供接触层。

14.根据前述任何一项权利要求所述的方法，其中所述保护层包括金属氧化物，优选包括铟锡氧化物、氧化锌和氧化钛中的至少一种。

15.根据前述任何一项权利要求所述的方法，其中所述保护层的厚度不大于50nm。

16.根据前述任何一项权利要求所述的方法，其中所述保护层的厚度不小于20nm。

17.根据权利要求2至5中的任何一项所述的方法，其中所述掩模包括二氧化硅层或氮化硅层。